[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м Исправление повторяющихся параметров в шаблонах.
→‎Проводимость: дополнение
Строка 392:
==== Проводимость ====
{{main|Проводимость (графен)|Подвешенный графен}}
Теоретически показано, что основное ограничение на [[Подвижность носителей тока|подвижность]] электронов и дырок в графене (на Si подложке) возникает из-за заряженных примесей в диэлектрике (SiO<sub>2</sub>), поэтому сейчас ведутся работы по получению свободновисящих плёнок графена, что должно увеличить подвижность до {{nobr|2{{e|6}} см²·В<sup>−1</sup>·c<sup>−1</sup>}}<ref name=hwang_condmat_2006>Hwang E. H. ''et al''., Carrier Transport in Two-Dimensional Graphene Layers. Phys. Rev. Lett. '''98''', 186806 (2007) {{DOI|10.1103/PhysRevLett.98.186806}} [http://arxiv.org/abs/cond-mat/0610157 cond-mat]</ref>. В настоящееодной времяиз первых работ максимальная достигнутая подвижность составляетсоставила {{nobr|2{{e|5}} см²·В<sup>−1</sup>·c<sup>−1</sup>}}; она была получена в шестиконтактном образце, подвешенном над слоем диэлектрика на высоте {{nobr|150 нм}} (часть диэлектрика была удалена с помощью [[травление|жидкостного травителя]])<ref name=bolotin_SSC_2008>Bolotin K. I. ''et. al.'' Ultrahigh electron mobility in suspended graphene. Solid State Comm. '''146''', 351 (2008) {{DOI|10.1016/j.ssc.2008.02.024}} [http://arxiv.org/abs/0802.2389 (архивная копия)]</ref>. Образец с толщиной в один атом поддерживался при помощи широких контактов. Для улучшения подвижности образец подвергался очистке от примесей на поверхности посредством пропускания тока<ref name=moser_apl_2007>Moser J.''et. al.'' Current-induced cleaning of graphene. Appl. Phys. Lett. '''91''', 163513 (2007) {{DOI|10.1063/1.2789673}}</ref>, который нагревал весь образец до {{nobr|900 К}} в высоком [[вакуум]]е.
 
Идеальную двумерную плёнку в свободном состоянии нельзя получить из-за её термодинамической нестабильности. Но если в плёнке будут дефекты или она будет деформирована в пространстве (в третьем измерении), то такая «неидеальная» плёнка может существовать без контакта с подложкой<ref>{{книга|автор = David Nelson (Editor), Steven Weinberg (Editor), T. Piran (Editor) |заглавие = „Statistical Mechanics of Membranes and Surfaces“ | издание = 2nd ed|издательство = World Scientific, Singapore |страницы = p. 444 |isbn = 978-981-238-760-8}}</ref>. В эксперименте<ref name=meyer_nature_2007>Meyer J. C. ''et al.'' The structure of suspended graphene sheets. Nature '''446''', 60 (2007) {{DOI|10.1038/nature05545}}</ref> с использованием [[просвечивающий электронный микроскоп|просвечивающего электронного микроскопа]] было показано, что свободные плёнки графена существуют и образуют поверхность сложной волнистой формы, с латеральными размерами пространственных неоднородностей около 5—10 нм и высотой 1 нм. В статье<ref name=Bunch_Science_2007>Bunch J. S. ''et al.'', Electromechanical Resonators from Graphene Sheets. Science '''315''', 490 (2007) {{DOI|10.1126/science.1136836}}</ref> было показано, что можно создать свободную от контакта с подложкой плёнку, закреплённую с двух краёв, образуя, таким образом, наноэлектромеханическую систему. В данном случае подвешенный графен можно рассматривать как мембрану, изменение частоты механических колебаний которой предлагается использовать для детектирования массы, силы и заряда, то есть использовать в качестве высокочувствительного сенсора.
Строка 399:
 
В идеальном случае, когда отсутствует легирование и затворное напряжение равно нулю, не должно быть носителей тока (см. [[#Линейный закон дисперсии|плотность состояний]]), что, если следовать наивным представлениям, должно приводить к отсутствию [[проводимость|проводимости]]. Но, как показывают эксперименты и теоретические работы<ref name=ludwig_PRB_1994>Ludwig A. W. W. et al., «Integer quantum Hall transition: An alternative approach and exact results». Phys. Rev. B 50, 7526 (1994) {{DOI|10.1103/PhysRevB.50.7526}}; Ziegler K., «Scaling behavior and universality near the quantum Hall transition». Phys. Rev. B '''55''', 10661 (1997) {{DOI|10.1103/PhysRevB.55.10661}}; Ziegler K., «Delocalization of 2D Dirac Fermions: The Role of a Broken Supersymmetry». Phys. Rev. Lett. '''80''', 3113 (1998) {{DOI|10.1103/PhysRevLett.80.3113}}; Katsnelson M. I., «Zitterbewegung, chirality, and minimal conductivity in graphene». Eur. Phys. J. B '''51''', 157 (2006) {{DOI|10.1140/epjb/e2006-00203-1}}; Tworzydlo J. et al., «Sub-Poissonian Shot Noise in Graphene». Phys. Rev. Lett. '''96''', 246802 (2006) {{DOI|10.1103/PhysRevLett.96.246802}}; Cserti J. «Minimal longitudinal dc conductivity of perfect bilayer grapheme». Phys. Rev. B '''75''', 033405 (2007) {{DOI|10.1103/PhysRevB.75.033405}}; Ziegler K., «Robust Transport Properties in Graphene». Phys. Rev. Lett. '''97''', 266802 (2006) {{DOI|10.1103/PhysRevLett.97.266802}}</ref><ref name=Peres_PRB_2006 /><ref name=gusynin_PRL_2005 />, вблизи дираковской точки или точки электронейтральности для дираковских фермионов существует конечное значение проводимости, хотя величина минимальной проводимости зависит от метода расчёта. Эта идеальная область не изучена просто потому, что нет достаточно чистых образцов. В действительности все плёнки графена соединены с подложкой, и это приводит к неоднородностям, флуктуациям потенциала, что ведёт к пространственной неоднородности типа проводимости по образцу, поэтому даже в точке электронейтральности концентрация носителей теоретически не меньше, чем {{nobr|10<sup>12</sup> см<sup>−2</sup>}}. Здесь проявляется отличие от обычных систем с двумерным электронным или дырочным газом, а именно — отсутствует [[переход металл-диэлектрик]].
 
Существуют подложки, которые имеют меньше дефектов и примесей чем оксид кремния. К ним относится гексогональный нитрид бора, который имеет гексогональную решётку и получается из кристаллов методом отшелушивания как и графен. В этом случае графен нужно [[перенос графена|перенести]] на такую подложку, избавиться от примесей методом отжига в вакууме или Ar<sub>2</sub>+H<sub>2</sub> атмосфере. Такие графеновые образца имеею высокую подвижность при комнатной температуре и в них может наблюдаться [[Баллистический транзистор|баллистический транспорт]]<ref name="Mayorov">{{статья
|автор = A. S. Mayorov, R. V. Gorbachev, S. V. Morozov, L. Britnell, R. Jalil, L. A. Ponomarenko, P. Blake, K. S. Novoselov, K. Watanabe, T. Taniguchi, and A. K. Geim
|заглавие = Micrometer-Scale Ballistic Transport in Encapsulated Graphene at Room Temperature
|ссылка = https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl200758b
|язык = en
|издание = Nano Lett.
|тип = [[Научный журнал|рец. науч. журнал]]
|год = 2011
|том = 11
|номер =
|страницы = 2396–2399
|issn =
|doi = 10.1021/nl200758b
}}</ref>.
 
==== Квантовый эффект Холла ====