Открыть главное меню

Алекса́ндр Леони́дович Асе́ев (род. 24 сентября 1946 года, Улан-Удэ) — советский и российский физик. Академик РАН (2006, член-корреспондент с 2000), в 2008—2017 гг. её вице-президент и председатель Сибирского отделения (СО) РАН. В 1998—2013 гг. директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

Александр Леонидович Асеев
Aseev AL.jpg
Дата рождения 24 сентября 1946(1946-09-24) (72 года)
Место рождения Улан-Удэ, РСФСР, СССР
Страна
Научная сфера физика полупроводников
Место работы Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Альма-матер Новосибирский государственный университет
Учёная степень доктор физико-математических наук (1990)
Учёное звание академик РАН (2006)
Известен как председатель Сибирского отделения РАН
Награды и премии
RUS Medal of the Order For Merit to the Fatherland 1st class ribbon.svg RUS Medal of the Order For Merit to the Fatherland 2nd class ribbon.svg Премия Правительства Российской Федерации в области образования — 2012

Содержание

БиографияПравить

Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1968).

В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках»[1], в 1990 году — докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов»[2].

С 1998 года по 25 апреля 2013 года являлся директором Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. По совместительству с 1 сентября 2002 г. — профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Томского государственного университета.[3] Учениками Асеева защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Асеев — автор и соавтор 200 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов.

Александр Асеев входит в состав учёного совета НГУ[4].

Член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН[когда?].

Доктор физико-математических наук, профессор. Основные научные интересы относятся к изучению атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитию технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.

Активный противник реформы Российской академии наук по предлагаемому Правительством РФ проекту с самого её начала в 2013 году[5]. В середине сентября 2017 года в своём обращении оценил реформы как «непродуманные и катастрофические», возложил на «реформаторов» вину за срыв выборов президента РАН в марте и предупредил о возможности срыва ими и сентябрьских выборов[6]. В том же обращении одобрил решение Президиума СО РАН о поддержке на выборах кандидатур Е. Н. Каблова и Г. Я. Красникова, так как «они в значительной степени независимы от основного инструмента в проведении разрушительных для РАН "реформ" — ФАНО».

Награды и почестиПравить

ПримечанияПравить

  1. Каталог РНБ
  2. Каталог РНБ
  3. АСЕЕВ Александр Леонидович
  4. Список членов Учёного совета НГУ (недоступная ссылка). Дата обращения 19 сентября 2017. Архивировано 3 апреля 2015 года.
  5. Как на самом деле академик Асеев оценивает проект «академической реформы» (2013)
  6. Обращение академика Александра Асеева (18 сентября 2017)
  7. Указ Президента Российской Федерации от 25.01.2017 № 34 «О награждении государственными наградами Российской Федерации»
  8. Указ Президента Российской Федерации от 11 марта 2008 г. № 331 «О награждении государственными наградами Российской Федерации» Архивировано 21 октября 2013 года.
  9. Академик Асеев Александр Леонидович | Сибирское отделение Российской академии наук (СО РАН)
  10. Национальная академия наук Беларуси :: Почётные и иностранные члены (недоступная ссылка). Дата обращения 23 января 2018. Архивировано 19 сентября 2015 года.

ИнтервьюПравить

СсылкиПравить