Горбатюк, Андрей Васильевич
Андре́й Васи́льевич Горбатю́к (род. 9 мая 1946, с. Капитановка Кировоградской обл., УСCР) — советский и российский физик-теоретик, специалист по силовым полупроводниковым приборам. Лауреат Госпремии СССР (1987).
| Андрей Васильевич Горбатюк | |
|---|---|
| Дата рождения | 9 мая 1946 (77 лет) |
| Место рождения | с. Капитановка, Златопольский район, Кировоградская область, Украинская ССР, СССР |
| Страна |
 СССР→ Россия |
| Научная сфера | физика полупроводниковых приборов |
| Место работы | ФТИ им. Иоффе РАН |
| Альма-матер | Одесский политехнический институт |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук |
| Учёное звание | профессор |
| Награды и премии |
 |
Профессиональная биография править
Окончил Одесский политехнический институт (ныне Одесский национальный политехнический университет), затем аспирантуру ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР (ныне РАН) в Ленинграде.
С 1981 года работает в ФТИ им. Иоффе в лаборатории мощных полупроводниковых приборов, в настоящее время — главный научный сотрудник. Доктор физико-математических наук (2003).
С 1996 года по совместительству преподавал в Санкт-Петербургском политехническом университете. Профессор (2011).
Научная деятельность и достижения править
Разработал теорию динамики и устойчивости инжекционных процессов в многослойных и интегральных полупроводниковых структурах при больших плотностях тока. Предложил физический принцип и разработал теорию реверсивно-включаемого динистора (РВД) – силового полупроводникового переключателя микросекундного диапазона. РВД был реализован при участии А. В. Горбатюка в ФТИ и стал самым мощным высоковольтным (3 кВ) полупроводниковым переключателем микросекундного диапазона (максимальный коммутируемый ток 0.3⋅106 А).
Из библиографии править
Автор около 90 научных публикаций[1]. Избранные работы:
- Grekhov I. V., Gorbatyuk A. V., Kostina L. S., Korotkov S. V., Jakovtchuk N. S. Superpower switch of microsecond range // Solid-State Electronics – 1983 – vol. 26 – no. 11 – p. 1132.
- Gorbatyuk A. V., Grekhov I. V., Nalivkin A. V. Theory of quasi-diode operation of Reversely Switched Dinistors // Solid-State Electronics – 1988 – vol. 31 – no. 10 – pp. 1483-1491 (см. аннотацию).
- Gorbatyuk A. V., Niedernostheide F. J. Spatial current-density instabilities in multilayered semiconductor structures // Physical Review B – 2002 – v. 65 – no. 24 – ArtNo#245318 [15 pages] (см. аннотацию).
- Slipchenko S. O., Podoskin A. A., Pikhtin N. A., Tarasov I. S., Gorbatyuk A. V. Model of steady-state injection processes in a high-power laser-thyristor based on heterostructure with internal optical feedback // IEEE Transactions on Electron Devices – 2015 – v. 62 – no. 1 – pp. 149-154 (см. аннотацию).
- Горбатюк А. В. Неустойчивости и расслоения тока в полупроводниковых структурах: учеб. пособие // 2009 – СПб.: Изд-во Политех. ун-та – 79 с. – ISBN 978-5-7422-2340-5.
Награды и премии править
Лауреат Государственной премии СССР 1987 года «За разработку новых принципов коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами»[2].
Примечания править
- ↑ См. Список публикаций А. В. Горбатюка и данные об их цитируемости на сайте eLIBRARY.ru.
- ↑ О присуждении Государственных премий СССР в области науки и техники. Газета «Правда» (7 ноября 1987). Дата обращения: 22 апреля 2020. Архивировано 14 мая 2021 года.
Источники и ссылки править
- Горбатюк, Андрей Васильевич на математическом портале Math-Net.Ru