Иванов, Сергей Викторович

Серге́й Ви́кторович Ивано́в (род. 24 июня 1960, Ленинград, СССР) — советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физико-математических наук, профессор. Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге.

Сергей Викторович Иванов
Дата рождения	24 июня 1960(1960-06-24) (59 лет)
Место рождения	Ленинград
Страна	СССР→ Россия
Научная сфера	физика наногетероструктур
Место работы	ФТИ РАН, СПбАУ, СПбГЭТУ
Альма-матер	ЛЭТИ
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	профессор

Становление, карьера

Родился в 1960 году.

Обучался в физико-математической школе № 239 гор. Ленинграда (выпуск 1977 г.). В 1983 году с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) по кафедре оптоэлектроники, базовой для ФТИ.

Вся дальнейшая научная биография Иванова связана с Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе (ФТИ), где он прошёл путь от стажера-исследователя до заведующего лабораторией квантово-размерных гетероструктур и группой молекулярно-пучковой эпитаксии. Там же, в ФТИ, защитил кандидатскую (1989) и докторскую (2000) диссертации.

Как эксперт многократно приглашался с визитами в университеты и научные центры Германии (суммарно провёл там 1 год), Японии (суммарно 2 мес) и других стран.

С октября 2018 года исполнял обязанности директора ФТИ. В мае 2019 года коллектив института избрал его на пост директора; после урегулирования формальностей, 6 августа 2019 года официально вступил в должность.

Научная деятельность

Иванов известен как специалист в сфере технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и физики полупроводниковых гетероструктур (материалы А^IIIВ^V, А^IIВ^VI, А^III-нитриды).

Среди важнейших научных результатов, полученных при его участии:

• разработка новых эпитаксиальных технологий наногетероструктур А^IIIВ^V и широкозонных соединений А^IIВ^VI, структур с квантовыми точками (КТ) СdSe и магнитными полупроводниками;
• создание прототипов приборных структур: сверхнизкопороговых лазерных диодов с раздельным ограничением в системе AlGaAs, лазеров с КТ InSb и фотоприёмников среднего ИК диапазона в системе AlGaSbAs/InAsSb, светодиодов и лазеров среднего УФ диапазона на основе AlGaN, высокоэффективных сине-зелёных лазеров с электронно-лучевой накачкой и лазерных конвертеров на базе наноструктур СdSe/ZnSe, НЕМТ-транзисторов с каналом InAs;
• реализация оригинальной концепции интеграции нанослоёв соединений А^IIIВ^V и А^IIВ^VI, позволяющей расширить возможности конструирования опто-, микро- и спинэлектронных приборов нового поколения.

Соавтор свыше 800 опубликованных научных работ, в том числе 10 глав в монографиях и 6 патентов. Суммарно его работы были процитированы почти 10000 раз, индекс Хирша — 35 (данные РИНЦ на апрель 2019 года). Выступал на российских и международных конференциях, сделал около 40 приглашённых докладов.

Исследовательская деятельность учёного отмечена присуждением ряда премий в его институте, благодарностью президента РАН.

Преподавание, оргработа

Как учёный-наставник Иванов подготовил 6 кандидатов физико-математических наук.

По совместительству, с 2004 года преподаёт в двух вузах Санкт-Петербурга: читает курс по молекулярно-лучевой эпитаксии студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым, и своей альма-матер. Профессор.

Является членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», входит в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, эксперт РФФИ и РНФ, член редколлегии журнала “Superlattices and Microstructures”.

См. также

• Сайт лаборатории в ФТИ, возглавляемой С. В. Ивановым
• Интервью С. В. Иванова РИА Новости о деятельности ФТИ РАН (10 янв 2019)