Лашкарёв, Вадим Евгеньевич

Вади́м Евге́ньевич Лашкарёв (7 октября 1903, Киев — 1 декабря 1974, Киев) — советский учёный в области физики[1], первооткрыватель эффектов, которые были положены в основу полупроводниковых технологий и микроэлектроники. Академик АН УССР1945 года)[2].

Вадим Евгеньевич Лашкарёв
Дата рождения 7 октября 1903(1903-10-07)
Место рождения
Дата смерти 1 декабря 1974(1974-12-01) (71 год)
Место смерти
Страна
Род деятельности физик
Научная сфера физика
Место работы
Альма-матер
Учёная степень д.ф.-м.н.
Учёное звание академик АН УССР
Награды и премии
орден «Знак Почёта»
Государственная премия Украинской ССР в области науки и техники
Логотип Викисклада Медиафайлы на Викискладе

Биография

править

Родился 7 октября 1903 года в Киеве, дворянин, сын прокурора Киевского Окружного суда до революции и во время деникинщины.[источник не указан 468 дней]

В 1924 году окончил Киевский институт народного образования. В 1924—1927 годах — аспирант, преподаватель Киевской научно-исследовательской кафедры физики. С 1928 года работал в Ленинградском физико-техническом институте, с 1930 года возглавлял там отдел рентгеновской и электронной оптики, а с 1933 года — лабораторию дифракции электронов. В 1933 году опубликовал монографию «Дифракция электронов». По результатам исследований в 1935 году ему без защиты диссертации присудили учёную степень доктора физико-математических наук.

В феврале 1935 года был арестован за «участие в к/р группе мистического толка»[3], а в июле того же года осуждён на 5 лет ссылки в Архангельск (реабилитирован 15 июля 1957 года). В 1935—1939 годах работал заведующим кафедрой физики Архангельского медицинского института, изучал биофизику нервных волокон. С 1939 года — заведующий отделом полупроводников Института физики АН УССР.

В 1941 году экспериментально открыл p-n-переход в закиси меди. В том же году опубликовал результаты своих открытий в статьях «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди» (в соавторстве с К. М. Косоноговой). В годы Великой Отечественной войны вместе с коллективом Института физики был эвакуирован в Уфу.

Находясь в эвакуации во время войны, Лашкарёв разработал меднозакисные диоды[4][5], которые применялись в армейских радиостанциях, и добился их промышленного выпуска на заводе в Уфе. После освобождения Киева вместе с институтом вернулся на Украину. В 1944—1952 годах одновременно с работой в институте заведовал кафедрой физики Киевского государственного университета, а в 1952—1956 годах — созданной им первой в СССР кафедрой физики полупроводников (в том же университете).

Исследовал биполярную диффузию неравновесных носителей тока. Заложил основы учения об электродвижущих силах в полупроводниках. С 1956 года — главный редактор основанного в том же году «Украинского физического журнала». С 1960 года работал в основанном им Институте полупроводников АН УССР[укр.] (ныне — Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины) заведующим отделом и директором (1960—1970). Совместно с В. И. Ляшенко впервые провёл исследования поверхностных явлений в полупроводниках. Создал научную школу[6].

Умер 1 декабря 1974 года в Киеве. Похоронен на Байковом кладбище.

Научная деятельность

править

Научные труды

править
  • Лашкарёв В. Е. Дифракция электронов (монография). — ГТТИ, 1933. — 127 с.
  • Лашкарёв В. Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. — К.: Наукова думка, 1981. — 264 с.

Награды

править

Память

править

В 2002 году его имя присвоено Институту физики полупроводников НАН Украины[укр.][7].

Примечания

править
  1. All-Физика. Дата обращения: 23 сентября 2016. Архивировано 24 сентября 2016 года.
  2. 50 лет Институту физики полупроводников НАН. Вадим Евгеньевич Лашкарёв. Дата обращения: 1 мая 2017. Архивировано 4 октября 2018 года.
  3. Амосов Н. М. Голоса времён. — М.: Вагриус, 1999. — С. 79—81. — 452 с. — (Мой 20 век). — ISBN 5-7027-0836-9.
    Сокращённое издание: Амосов Н. М. Голоса времен. Архангельск. 1932—1939 гг. Профессор Лашкарёв. «Другая физика». Дата обращения: 1 мая 2017. Архивировано 3 января 2014 года.
  4. Институт физики полупроводников. Выдающиеся ученые. Лашкарёв Вадим Евгеньевич.
  5. Музей истории компьютерной науки и техники. Вадим Евгеньевич Лашкарёв. Купрокс-диод на p-n-переходе. Дата обращения: 1 мая 2017. Архивировано 20 ноября 2018 года.
  6. Храмов Ю. А. Полупроводниковая школа В. Е. Лашкарёва // История формирования и развития физических школ на Украине. — К.: Феникс, 1991. — 216 с.
  7. Розпорядження Кабінету Міністрів України від 25.12.2002 р. № 714-р «Про присвоєння Інституту фізики напівпровідників Національної академії наук України імені В. Є. Лашкарьова»; постанова Президії НАН України від 04.02.2003 р. № 6

Литература

править
  • Храмов Ю. А. Лашкарёв, Вадим Евгеньевич // Физики : Биографический справочник / Под ред. А. И. Ахиезера. — Изд. 2-е, испр. и доп. — М. : Наука, 1983. — С. 157. — 400 с. — 200 000 экз.
  • Храмов Ю. А. История формирования и развития физических школ на Украине. — К., 1991.

Ссылки

править