Моисей Семёнович Хайкин (5 декабря 1921, Москва — 7 декабря 1990, там же) — советский физик, специалист в области электронных явлений и физики низких температур, член-корреспондент АН СССР (1987).
| Моисей Семёнович Хайкин | |||
|---|---|---|---|
 | |||
| Дата рождения | 5 декабря 1921 | ||
| Дата смерти | 7 декабря 1990 (69 лет) | ||
| Страна |
 СССР |
||
| Научная сфера | физика | ||
| Место работы | ИФП АН СССР | ||
| Альма-матер | физический факультет МГУ | ||
| Учёная степень | доктор физико-математических наук | ||
| Учёное звание | член-корреспондент АН СССР | ||
| Награды и премии |
|
||
Биография править
Родился 5 декабря 1921 года в Москве семье известного физика и радиоастронома С. Э. Хайкина. Племянник дирижёра Б. Э. Хайкина. В 1947 году окончил МГУ. С 1945 года работал в Институте физических проблем АН СССР. Ученик А. И. Шальникова и И. В. Обреимова. Кандидатскую диссертацию на тему «Измерение поверхностного сопротивления сверхпроводящего олова на частоте 9400 мегагерц» защитил в 1952 году. В 1962 году получил ученую степень доктора физ.-мат. наук. Тема докторской диссертации — «Исследование свойств электронов проводимости металлов на сверхвысоких частотах». Преподавал в МГУ и МФТИ, профессор.
Скончался 7 декабря 1990 года. Похоронен на Донском кладбище (уч. у колумбария 12)[1].
Семья править
Жена — Ирина Петровна Голямина (1924—2015), физик-акустик, научный сотрудник Акустического института АН СССР[2].
Научная деятельность править
Первые работы посвящены исследованию СВЧ импеданса сверхпроводников. Создал резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для того времени стабильностью. Провел прецизионные исследования циклотронного резонанса в олове, индии, висмуте, свинце, алюминии (1959—1973), обнаружил и исследовал траекторные размерные эффекты отсекания циклотронного резонанса и скачка импеданса при равенстве диаметра орбиты электронов толщине образца (1961).
Обнаружил зависимость перенормировки эффективной массы электронов от температуры из-за электрон-фононного взаимодействия (1970—1973). Открыл магнитные поверхностные уровни, обязанные квантованию движения электронов по орбитам, «скачущим» по поверхности образца при зеркальном отражении (1960).[3]
Обнаружил сверхпроводимость вблизи плоскости двойникования в металлах, в ряде случаев приводящую к значительному повышению температуры сверхпроводящего перехода (1978—1983).
Инициатор работ по сканирующей туннельной микроскопии. Создал первый в стране сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции (1985) и применил его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках, её зависимости от состава и технологии ВТСП (1987). Исследовал излучение света при неупругом туннелировании, связанное с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещенных на поверхности образца (1990).
Награды править
Премия им. М. В. Ломоносова (1970) — за работы по обнаружению магнитных поверхностных уровней и их исследованию.
Примечания править
- ↑ Могила М. С. Хайкина. Дата обращения: 25 марта 2017. Архивировано 1 июня 2017 года.
- ↑ Некролог в «Акустическом журнале» (2016). Дата обращения: 22 ноября 2022. Архивировано 22 ноября 2022 года.
- ↑ Научное открытие «Осцилляторная зависимость поверхностного сопротивления металла от слабого магнитного поля» Автор: М. С. Хайкин. Номер и дата приоритета: № 16 от 30 апреля 1960 г. Дата обращения: 19 июня 2022. Архивировано 26 ноября 2020 года.
Источники править
- Хайкин, Моисей Семёнович на официальном сайте РАН
- Хайкин Моисей Семенович
- Хайкин Моисей Семенович// Фото
- Памяти Моисея Семёновича Хайкина, Успехи физических наук, т. 161, № 6, июнь 1991