Оксид кремния(II)

Окси́д кре́мния(II) (моноокси́д кремния) SiO — смолоподобное аморфное вещество, при обычных условиях устойчиво к действию кислорода. Относится к несолеобразующим оксидам.

Оксид кремния​(II)​
Общие
Хим. формула	SiO
Физические свойства
Молярная масса	44,084 г/моль
Термические свойства
Мол. теплоёмк.	29,9 (г) Дж/(моль·К)
Энтальпия
• образования	-103 (г) кДж/моль
Классификация
Рег. номер CAS	10097-28-6
PubChem	66241
Рег. номер EINECS	233-232-8
SMILES	[O+]#[Si-]
InChI	InChI=1S/OSi/c1-2 LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N
ChEBI	30588
ChemSpider	59626
Безопасность
NFPA 704	0 1 0
Приведены данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иное.
Медиафайлы на Викискладе

В природе

Газообразный монооксид кремния обнаружен в межзвёздных газопылевых облаках и солнечных пятнах. На Земле SiO не встречается.

Физические свойства

Температура плавления 1702 °C (3096 °F; 1975 K), температура кипения 1880 °C (3420 °F; 2150 K).

Химические свойства

• При нагревании на воздухе оксид кремния(II) частично окисляется.
• При 500 °C взаимодействует с водяным паром и углекислым газом СО₂, с образованием водорода Н₂ и СО.
• При 800 °C реагирует с хлором, образуя тетрахлорид кремния SiCl₄.

Получение

Монооксид кремния можно получить, нагревая кремний в недостатке кислорода при температуре выше 400 °C:

${\mathsf {2Si+O_{2}\rightarrow 2SiO}}.$

Также SiO образуется при восстановлении SiO₂ кремнием при высоких температурах (например, на поверхности тигеля при производстве монокристаллического кремния методом Чохральского):

${\mathsf {SiO_{2}+Si\rightarrow 2SiO}}.$

Применение

Монооксид кремния — материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптических слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением кремния в кислородной плазме.

Ссылки

• Кремния оксид Архивная копия от 3 февраля 2010 на Wayback Machine // Химическая энциклопедия. Ред. И. Л. Кнунянц