Открыть главное меню

И́горь Гео́ргиевич Неизве́стный (род. 26 ноября 1931 года, Одесса) — советский и российский физик. Член-корреспондент АН СССР по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (элементная база, 1990).

Игорь Георгиевич Неизвестный
Дата рождения 26 ноября 1931(1931-11-26) (87 лет)
Место рождения
Страна  СССР Россия
Научная сфера физик
Место работы Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, НГТУ
Альма-матер МЭИ
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание профессор, член-корреспондент АН СССР, член-корреспондент РАН
Научный руководитель А. В. Ржанов
Награды и премии Орден Трудового Красного Знамени — 1971
Государственная премия Российской Федерации — 1995 Премия Правительства Российской Федерации в области образования — 2012

Содержание

БиографияПравить

Дед по матери чл.-корр. АН СССР, академик Украинской АН Александр Яковлевич Орлов[1].

В 1956 году окончил электромеханический факультет Московского энергетического института по специальности «Диэлектрики и полупроводники», ученик А. В. Ржанова. С 1956 по 1962 год вёл научную работу в Физическом институте АН СССР.

С 1962 года работал в Институте физики полупроводников (ныне — им. А. В. Ржанова) СО АН СССР, один из создателей Института, заместитель директора по научной работе (1962—1973 и 1980—2004), с 1973 по 1980 — заведующий лабораторией «Физика и технология германиевых МДП-структур», с 2004 — заведующий отделом «Тонкоплёночные структуры для микро и фотоэлектроники», советник РАН.

Кандидат физико-математических наук (1966, тема диссертации «Исследование природы центров рекомбинации носителей заряда на поверхности германия»), доктор физико-математических наук (1980, тема диссертации «Исследование границы раздела германий — диэлектрик»).

Преподаёт в Новосибирском государственном техническом университете[2], с 1983 года — профессор.

Научный руководитель и консультант 7 докторских и 15 кандидатских диссертаций.

Научные интересыПравить

Фундаментальные результаты в области физики полупроводников и физических основ полупроводниковых приборов. Исследовал физические процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик, взаимодействие излучения с полупроводниковыми гетероструктурами. Вёл компьютерное моделирование формирования тонких поверхностных слоёв.

Работы по квантовой криптографии, поверхностно-барьерным биосенсорам.

Лауреат Государственной премии РФ в области науки и техники «За открытие, экспериментальное и теоретическое исследование нового класса фоточувствительных полупроводниковых материалов» (1995).

ПримечанияПравить

ЛитератураПравить

СсылкиПравить