Открыть главное меню

ИсторияПравить

в СССР

Исследование и первые попытки создания полупроводниковых приборов проводились в СССР ещё в 1920-х - 1930-х годах. В 1924 году в Нижегородской радиолаборатории учёный О. В. Лосев создал полупроводниковый детектор-усилитель и детектор-генератор электромагнитных излучений на частоты до десятков МГц. На этой основе впервые в мире было создано детекторное приёмопередаточное устройство — кристадин[1].

Позже в СССР для развития отрасли были созданы научно-исследовательские институты и центры. В 1956 году введён в эксплуатацию Завод полупроводниковых приборов. Среди продукции завода на то время — пальчиковые лампы широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы, первые полупроводниковые диоды Д2, диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813[2].

См. также: МЭП СССР
в России

Холдинг «Росэлектроника» объединяет предприятия-производители электроной продукции.

ПроизводствоПравить

см. Категория:Производители полупроводниковых приборов

Микросхемы

При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины.

См. такжеПравить

ЛитератураПравить

  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. 2-е изд. М., Мир, 1984.
  • М. С. Шур. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. М., Мир, 1992.
  • Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Физматлит, 2008.
  • Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. — 8-е издание, исправленное.. — М.: Лань, 2006. — 480 с.

СсылкиПравить

ПримечанияПравить