Открыть главное меню

Анато́лий Васи́льевич Ржа́нов (9 апреля 1920, Иваново-Вознесенск, Иваново-Вознесенская губерния, РСФСР — 25 июля 2000, Новосибирск, Россия) — советский и российский учёный, специалист в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников. Академик АН СССР и РАН.

Анатолий Васильевич Ржанов
RZHANOV Anatolii Vasilevich.jpg
1999 год
Дата рождения 9 апреля 1920(1920-04-09)[1]
Место рождения Иваново-Вознесенск, Иваново-Вознесенская губерния, РСФСР
Дата смерти 25 июля 2000(2000-07-25) (80 лет)
Место смерти
Страна  СССР Россия
Научная сфера микроэлектроника
Место работы ФИАН, ИФП СО РАН, НГУ
Альма-матер Ленинградский политехнический институт
Учёная степень доктор физико-математических наук
Учёное звание академик АН СССР (1984), академик РАН (1991)
Известные ученики И. Г. Неизвестный
Награды и премии
Orden for Service IV.png Орден Ленина Орден Октябрьской Революции Орден Трудового Красного Знамени
Орден Отечественной войны I степени Орден Отечественной войны II степени Медаль «За отвагу» (СССР) SU Medal For the Defence of Leningrad ribbon.svg
Премия Совета Министров СССР

Содержание

БиографияПравить

С началом Великой Отечественной войны в декабре 1941 года студентом выпускного курса ушёл добровольцем в части морской пехоты, служил на «морском охотнике» на Балтийском флоте[2].

Получив краткосрочный отпуск для сдачи экзаменов и защиты диплома, окончил Ленинградский политехнический институт (1941, с отличием).

Воевал на Ленинградском фронте, на «Ораниенбаумском пятачке». Командовал отрядом разведчиков морской пехоты, участвовал в боевых операциях, разведке боем, совершал рейды в тыл врага. Младший лейтенант. Адъютант комбрига. В 1943 году в боях по прорыву блокады Ленинграда получил тяжелое ранение[3].

В конце 1943 года, демобилизованный из армии, сдал вступительные экзамены в аспирантуру Физического института им. Лебедева (ФИАН). Уже после демобилизации перенёс воспаление легких. Во время посещения бывших фронтовых сослуживцев вновь оказался участником боевых действий, получил контузию. Был награждён орденом Отечественной войны 2 степени. В 1944—1945 годах лечился в госпиталях от осложнений, полученных из-за ранений и контузий, ослеп на один глаз.

В 1948 году окончил аспирантуру ФИАН, участник первых в СССР работ по созданию полупроводникового транзистора. Кандидат физико-математических наук (22.06.1949)[4]

В 1962 году по приглашению академика М. А. Лаврентьева с группой сотрудников ФИАНа переехал в новосибирский Академгородок, где организовал Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники (ныне — Институт физики полупроводников). Директор Института 1964—1990. Избран членом-корреспондентом АН СССР (1962). Академик АН СССР (1984). Заместитель председателя СО АН СССР (1985—1990)

Преподавал в Новосибирском государственном университете, где организовал кафедру физики полупроводников (1963), которую возглавлял долгие годы. В числе учеников Анатолия Васильевича три члена-корреспондента РАН, десятки докторов и кандидатов наук.

АнекдотыПравить

При переводе книги Шокли (Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953) выдержал серьёзную борьбу с редактором издательства, который упорно изменял термин — «носитель заряда — дырка» на «носитель заряда — отверстие»[5].

ПамятьПравить

 
Могила А. В. Ржанова на Южном кладбище

Похоронен на Южном кладбище Новосибирска.

В 2006 году Институту физики полупроводников СО РАН присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года)[6].

В 2010 году в честь А. В. Ржанова названа улица в новосибирском Академгородке, на которой расположен главный корпус Института физики полупроводников СО РАН[7].

ПримечанияПравить

ЛитератураПравить

  • След на земле. Солдат, Учёный, Учитель: посвящается памяти академика Анатолия Васильевича Ржанова. 1920—2000 гг. / Отв. ред. чл.-корр. РАН Неизвестный И. Г. — Новосибирск: Издательство СО РАН, 2002. — 460 с.

СсылкиПравить