216 999
правок
Walhi (обсуждение | вклад) |
м (Орфография) |
||
Поскольку изготовление кварцевого окна стоит дорого, была разработана память [[PROM]] («одноразовая» программируемая память, ОПМ). В ней матрица памяти монтируется в непрозрачную оболочку, которая не может быть разрушена после программирования. Это устраняет необходимость тестирования функции стирания, что также снижает расходы на изготовление. ОПМ-версии производятся как для памяти EPROM, так и для микроконтроллеров со встроенной памятью EPROM. Однако, ОПМ EPROM (будь то отдельный чип или часть большого чипа) всё чаще заменяют на [[EEPROM]] при небольших объёмах выпуска, когда стоимость одной ячейки памяти не слишком важна, и на [[флеш-память]] при больших сериях выпуска.
Запрограммированная память EPROM сохраняет свои данные на десять-двадцать лет, и может быть прочитана неограниченное число раз.<ref>Paul Horowitz and Winfield Hill, ''The Art of Electronics 2nd Ed. '' Cambridge University Press, Cambridge, 1989, ISBN 0521370957, page 817</ref> Окно стирания должно быть закрыто непрозрачной
Стирание EPROM происходит при длине волны света короче 400 [[нм]]. Экспозиция солнечным светом в течение 1 недели или освещение комнатной флуоресцентной лампой в течение 3 лет может привести к стиранию. Рекомендуемой процедурой стирания является воздействие ультрафиолетовым светом длиной волны 253,7 нм от 20 до 30 минут лампой со световым потоком не менее 15 вт-сек/см2, размещённой на расстоянии около 30 сантиметров.
== Интересные факты ==
* Подавляющее большинство микросхем имеют маркировку на
* Первые советские микросхемы EPROM на практике имели ресурс всего 2-3 стирания и были очень чувствительны к передозировке экспозиции.
|