EPROM: различия между версиями

911 байт добавлено ,  1 год назад
(→‎Принцип действия: Добавление союза между частями предложения.)
Метки: правка с мобильного устройства правка из мобильной версии
 
: «Стирание может быть сделано неэлектрическими методами, так как управляющий электрод электрически недоступен. Освещение ультрафиолетовым светом любой части неупакованного устройства вызывает фототок, который течёт из плавающего затвора на кремниевую подложку, тем самым переводя затвор в исходное незаряженное состояние. Этот метод стирания позволяет осуществлять полное тестирование и коррекцию сложных матриц памяти до корпусования. После корпусования информация всё ещё может быть стёрта рентгеновским излучением, превышающим 5*10<sup>4</sup> [[Рад (единица измерения)|рад]], дозы, которая легко достигается коммерческими генераторами рентгеновского излучения.<ref>May 10, 1971 issue of Electronics Magazine in an article written by Dov Frohman</ref> Иными словами, чтобы стереть EPROM, вы должны применить источник рентгеновского излучения, а затем поместить чип в духовку при температуре около 600 градусов по Цельсию (для отжига полупроводниковых изменений, вызванных рентгеновскими лучами).»<ref name="jmargolin_com-eprom">{{cite web|title=eprom|url=http://www.jmargolin.com/patents/eprom.htm|archiveurl=https://www.webcitation.org/61BnNSfeX?url=http://www.jmargolin.com/patents/eprom.htm|archivedate=2011-08-25|deadurl=yes}} 090508 jmargolin.com</ref>
 
Во время активного использования dial-up модемов существовали специалисты по модернизации модема USR Business Modem в намного более дорогой USR Courier, помимо небольших схемотехнических изменений сопровождавшейся перепрошивкой EPROM без окна. Собственно процесс стирания был отработан, но держался в тайне, каковой и остался. По всей видимости, использовалось радиоактивное облучение. Упоминаемый прогрев кристалла до температур от 450 до 1410 градусов Цельсия выглядит для готовой микросхемы не иначе, как шутка.
 
EPROM имеют ограниченное, но большое количество циклов стирания. Диоксид кремния около затвора накапливает постепенные разрушения при каждом цикле, что делает чип ненадёжным после нескольких тысяч циклов стирания. Программирование EPROM выполняется доволньно медленно по сравнению с другими типами памяти, потому что участки с более высокой плотностью оксида между слоями соединений и затвора получают меньше экспозиции. Ультрафиолетовое стирание становится менее практичным для очень больших размеров памяти. Даже пыль внутри корпуса может препятствовать некоторым ячейкам памяти выполнить стирание<ref> Sah 1991 page 640 </ref>. Программатор выполняет верификацию данных в EPROM не только после операции программирования, но и ''до неё'', проверяя правильность стирания информации (перевода всех ячеек памяти в исходное состояние).
Анонимный участник