Биполярный транзистор: различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Ascola (обсуждение | вклад) отмена правки 99780799 участника 109.123.134.200 (обс.) Метка: отмена |
м Орфография |
||
Строка 6:
== Устройство ==
[[Файл:Npn bjt cross section.svg|250px|left|thumb|
Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом [[примесная проводимость полупроводников|примесной проводимости]]: эмиттера (обозначается «Э», {{lang-en|E}}), базы («Б», {{lang-en|B}}) и коллектора («К», {{lang-en|C}}). В зависимости от порядка чередования слоёв различают ''n-p-n'' (эмиттер — [[Полупроводник n-типа|''n''-полупроводник]], база — [[Полупроводник p-типа|''p''-полупроводник]], коллектор — ''n''-полупроводник) и ''p-n-p'' транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие [[Омический контакт|невыпрямляющие контакты]]<ref>Невыпрямляющий, или [[омический контакт]] — контакт двух разнородных материалов, [[Вольт-амперная характеристика|вольтамперная характеристика]] которого симметрична при смене полярности и практически линейна.</ref>.
Строка 57:
=== Нормальный активный режим ===
Переход эмиттер-база
: ''U<sub>ЭБ</sub>>''0; ''U<sub>КБ</sub><''0 (для транзистора ''n-p-n'' типа), для транзистора ''p-n-p'' типа условие будет иметь вид ''U<sub>ЭБ</sub>''<0; ''U<sub>КБ</sub>>''0.
Строка 75:
=== Барьерный режим ===
В данном режиме '''база''' транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его '''коллектором''', а в '''коллекторную''' или в '''эмиттерную''' цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет собой своеобразный диод,
Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.
| |||