Лазерная абляция: различия между версиями

[отпатрулированная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м Орфография
Строка 73:
На данный момент описаны три механизма роста плёнок, подходящие для ионно-плазменных вакуумных методов:
* [[Механизм роста Вольмера — Вебера|Зародышевый механизм роста Вольмера-Вебера]]: реализуется на атомно гладких гранях совершенного кристалла, каковыми являются грани с малыми индексами Миллера. Рост плёнок в этом случае происходит через начальное образование двухмерных или трехмерных зародышей, в дальнейшем разрастающихся в сплошную плёнку на поверхности подложки.
* [[Механизм роста Франка — Ван дер Мерве|Послойный механизм роста Франка — ваннВан дер Мерве]]: реализуется при наличии на поверхности подложки ступеней, источником которых является, в частности, естественная шероховатость граней с большими индексами Миллера. Эти грани представляются в виде совокупности атомных ступеней, образованных участками плотноупакованных поскостей с малыми индексами Миллера.
* [[Механизм роста Странского — Крастанова|Механизм Странского-Крастанова]]: представляет собой промежуточный механизм роста. Он заключается в том, что сначала на поверхности идет рост по послойному механизму, затем после образования смачивающего слоя (толщиной в один или несколько моноатомных слоев) происходит переход к островковому механизму роста. Условием реализации такого механизма является значительное (в несколько процентов) рассогласование постоянных решетки осаждаемого материала и материала подложки.