Жидкофазная эпитаксия: различия между версиями

Следует отметить, что в современной полупроводниковой промышленности данный метод уже давно не используется, ввиду сложности контроля параметров получаемых плёнок (толщина, однородность толщины, значение стехиометрического коэффициента), их относительно низкого качества, малой производительности метода. Вместо него используется газофазная эпитаксия, нашедшая первое промышленное применение нашедшая для роста простых плёнок полупроводников IV группы таблицы Менделеева (Ge, Si), а позже, с развитием технологии, вытеснившая жидкофазную эпитаксию из роста плёнок полупроводников типа A_IIIB_V и A_IIB_VI. Также заменой является молекулярно-лучевая эпитаксия, позволяющая проводить осаждение практически любых материалов. Однако, для некоторых экзотических полупроводниковых соединений на данный момент является единственно возможной, и остается вопросом лабораторных исследований.