Биполярный транзистор: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Zatvornik (обсуждение | вклад) м откат правок 213.87.134.218 (обс.) к версии InternetArchiveBot Метка: откат |
|||
Строка 196:
В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ<sub>з</sub> относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ<sub>ф</sub>. '''Временем включения''' транзистора называется τ<sub>вкл</sub> = τ<sub>з</sub> + τ<sub>ф</sub>.
== Биполярный
Биполярные СВЧ-транзисторы (БТ СВЧ) служат для усиления колебаний с частотой свыше 0,3 ГГЦ{{sfn|Кулешов|с=284|2008}}. Верхняя граница частот БТ СВЧ с выходной мощностью более 1 Вт составляет около 10 ГГц. Большинство мощных БТ СВЧ по структуре относится к n-p-n типу{{sfn|Кулешов|с=285|2008}}. По методу формирования переходов БТ СВЧ являются [[Эпитаксия|эпитаксиально-планарными]]. Все БТ СВЧ, кроме самых маломощных, имеют многоэмиттерную структуру (гребёнчатую, сетчатую){{sfn|Кулешов|с=286|2008}}. По мощности БТ СВЧ разделяются на маломощные (рассеиваемая мощность до 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт) и мощные (свыше 1,5 Вт){{sfn|Кулешов|с=292|2008}}. Выпускается большое число узкоспециализированных типов БТ СВЧ{{sfn|Кулешов|с=292|2008}}.
| |||