МОП-структура: различия между версиями

3 байта добавлено ,  10 месяцев назад
м (→‎Условные графические обозначения: РДБ-запрос, replaced: ннны → нны (2))
Метки: правка с мобильного устройства правка из мобильной версии
 
=== Тип проводимости ===
Полупроводник канала может быть легирован примесями для получения электропроводности P или N типа. Подачей на затвор определённого потенциала можно менять тип проводимостирабочее состояние участка канала под затвором. Если вытеснять из канала его основные носители заряда, обогащая канал неосновными носителями, то это так называемый ''режим обогащения''. При этом проводимость канала растёт. Подачей противоположного по знаку потенциала на затвор можно обеднить канал неосновными носителями и уменьшить его проводимость (это называется ''режимом обеднения'', характерен только для транзисторов со встроенным каналом).<ref>''Москатов Е. А''. Электронная техника. Начало. — Таганрог, 2010. — С. 76.</ref>.
 
Для n-канальных полевых транзисторов отпирающим является положительное (относительно истока) напряжение, приложенное к управляющему электроду (затвору) и превышающее пороговое напряжение этого транзистора. Соответственно, для p-канальных полевых транзисторов отпирающим будет являться отрицательное (относительно истока) напряжение, приложенное к управляющему электроду и превышающее его пороговое.
Анонимный участник