Биполярный транзистор с изолированным затвором: различия между версиями

[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
отклонено последнее 1 изменение (Zoomforyou)спам
Убрал ненужную точку.
Строка 1:
[[Файл:IGBT structure chart 3.PNG|thumb|120px|Условное графическое обозначение БТИЗ.]]
'''Биполярный транзистор с изолированным затвором''' (БТИЗ, {{lang-en|Insulated-gate bipolar transistor}}, ''IGBT'') — трёхэлектродный силовой [[полупроводниковый прибор]], сочетающий два [[транзистор]]а в одной полупроводниковой структуре: [[Биполярный транзистор|биполярный]] (образующий силовой канал) и [[Полевой транзистор|полевой]] (образующий канал управления)<ref name="gaw" />. Используется, в основном, как мощный [[Ключ (электротехника)|электронный ключ]] в [[Импульсный стабилизатор напряжения|импульсных источниках питания]], [[Инвертор (электротехника)|инверторах]], в системах управления [[Электрический привод|электрическими приводами]]{{переход|#Применение|green}}.