Дырка: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
→Дырки в физике твёрдого тела: пунктуация |
→Дырки в физике твёрдого тела: пунктуация |
||
Строка 27:
Для создания заметной концентрации дырок в полупроводниках используется [[Легирование (полупроводники)|легирование]] полупроводника [[Акцептор (физика полупроводников)|акцепторными]] [[примесь (химия)|примесями]].
Кроме того, дырки могут возникать в [[Собственный полупроводник|собственном (нелегированном) полупроводнике]] из-за возбуждения [[электрон]]ов и переходом их из валентной зоны в зону проводимости в результате внешних воздействий: нагрева, освещения светом с достаточной [[Фотон|энергией фотонов]] для перевода электронов из валентной зоны в [[Зона проводимости|зону проводимости]]
В случае [[Закон Кулона|кулоновского взаимодействия]] дырка с электроном из [[зона проводимости|зоны проводимости]] могут образовать связанное состояние, [[Квазичастица|квазичастицу]], называемую [[экситон]]ом.
| |||