Белый светодиод: различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
RGB светодиод и белый - разные вещи |
Ufim (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 18:
{{cite web
|url = http://www.led-professional.com/products/leds_led_modules/cree-first-red-green-blue-white-mc-e-led-and-xlamp-r-color-led-performance-breakthrough
|title = Светодиоды MC-E компании Cree, содержащие красный, зелёный,
|publisher = LED Professional
|accessdate = 2012-11-10
Строка 292:
=== Люминофорный светодиод на базе ультрафиолетового излучателя ===
Кроме уже ставшего распространённым варианта комбинации
{{cite web
|url = http://www.led-professional.com/products/leds_led_modules/semileds-achieves-40-external-quantum-efficiency-for-ultraviolet-uv-led-chips
Строка 340:
{{cite web |url= http://www.led-professional.com/technology/light-generation/609-nm-red-led-prototype-from-osram-opto-semiconductors-achieves-record-efficiency |title = Прототип красного всетодиода с длиной волны 609 нм компании Osram с эффективностью 61 % |publisher= LED Professional |accessdate= 2012-11-10 |lang= en |archiveurl= https://www.webcitation.org/6CNOYOdjx?url=http://www.led-professional.com/technology/light-generation/609-nm-red-led-prototype-from-osram-opto-semiconductors-achieves-record-efficiency |archivedate= 2012-11-23}}</ref>.
* Переход на более дешёвые полупроводниковые структуры. Эпитаксиальные структуры на базе нитрида галлия (GaN) традиционно выращивают на подложке из сапфира. Использование в качестве основы других материалов, например, карбида кремния, чистого кремния, оксида галлия<ref>{{cite web |url= http://www.led-professional.com/technology/light-generation/tamura-and-koha-demonstrate-white-led-using-gallium-oxide-at-lighting-taiwan-2013 |title= Светодиоды на подложке из оксида галлия |publisher= LED Professional |accessdate= 2013-02-15 |lang= en |archiveurl= https://www.webcitation.org/6F5jREXGJ?url=http://www.led-professional.com/technology/light-generation/tamura-and-koha-demonstrate-white-led-using-gallium-oxide-at-lighting-taiwan-2013 |archivedate= 2013-03-13}}</ref>, позволяет существенно снизить стоимость светодиода<ref>{{cite web |url= http://www.led-professional.com/products/led-production-test-equipment/azzurro-offers-easy-migration-to-gan-on-si-leds-with-150-mm-templates |title= Переход на структуру GaN-on-Si |publisher= LED Professional |accessdate= 2012-11-10 |lang= en |archiveurl = https://www.webcitation.org/6CNOZWUcv?url=http://www.led-professional.com/products/led-production-test-equipment/azzurro-offers-easy-migration-to-gan-on-si-leds-with-150-mm-templates |archivedate= 2012-11-23}}</ref>. Кроме попыток легирования нитрида галлия разными веществами, исследования ведутся с другими полупроводниковыми материалами — ZnSe, InN, AlN, BN.
* Светодиоды без люминофора на базе эпитаксиальной структуры ZnSe на подложке ZnSe, активная область которой испускает
* Светодиоды с полупроводниковыми преобразователями излучения. Дополнительный слой полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны способен поглотить часть световой энергии, что приводит к вторичному излучению в области меньших значений энергии{{sfn|Шуберт|2008|p=426}}.
| |||