Нитрид галлия: различия между версиями

[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки
Строка 88:
Широко используется для создания [[светодиод]]ов, [[полупроводниковый лазер|полупроводниковых лазеров]], сверхвысокочастотных транзисторов.
 
Кристаллический нитрид галлия высокого качества может быть получен при низкой температуре методом осаждения из парогазовой фазы на AlN — буферном слое<ref>{{статья|автор=H. Amano|заглавие=Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer|ссылка=http://link.aip.org/link/?APL/48/353|тип=[[Applied Physics Letters]]|год=1986|страницы=353|doi=10.1063/1.96549}}{{Недоступная ссылка|date=Ноябрь 2017 |bot=InternetArchiveBot }}</ref>. Получение кристаллов нитрида галлия высокого качества позволило изучить проводимость p-типа данного соединения<ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112" />, благодаря реализации [[p-n-переход]]а, создать голубыесиние и УФ светодиоды<ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112" />, эффективно излучающие при комнатной температуре<ref name="doi10.1143/JJAP.29.L205">{{статья|автор=Hiroshi Amano, Tsunemori Asahi and Isamu Akasaki|заглавие=Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer|тип=Jpn. J. Appl. Phys.|год=1990|страницы=L205-L206|doi=10.1143/JJAP.29.L205}}</ref> (необходимая для лазерного излучения)<ref name="doi10.1143/JJAP.34.L1517">{{статья|автор=Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Shigetoshi Sota, Hiromitsu Sakai, Toshiyuki Tanaka и Masayoshi Koike|заглавие=Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device|тип=Jpn. J. Appl. Phys.|год=1995|страницы=L1517-L1519|doi=10.1143/JJAP.34.L1517}}</ref>. Это привело к коммерциализации высокопроизводительных синих светодиодов и долгосрочной жизни фиолетово-лазерных диодов, а также дало развитие устройств на основе нитридов, таких как детекторы УФ и высокоскоростных полевых транзисторов.
 
Создание синих светодиодов из GaN, обладающих высокой яркостью излучения было последним в разработке светодиодов основных цветов и это позволило создать полноцветные светодиодные экраны<ref name="review">{{статья|автор=Morkoç, H.|заглавие=Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies|тип=[[Journal of Applied Physics]]|год=1994|страницы=1363|doi=10.1063/1.358463}}</ref>.