Процессор в памяти: различия между версиями

Нет изменений в размере ,  2 месяца назад
→‎Вычисляющая память: Испр. опечатка
(русификации)
(→‎Вычисляющая память: Испр. опечатка)
Метки: правка с мобильного устройства правка из мобильной версии
 
На 2011 год процесс изготовления DRAM (немного слоев, регулярные топологические структуры, оптимизирован для высокой электрической ёмкости) и процесс изготовления CPU (много слоев, оптимизирован для высокой частоты, относительно дорогой на квадратный миллиметр) существенно отличаются. В связи с этим выделяется три подхода к изготовлению вычисляющего ОЗУ:
* начать с процессора — оптимизация процесса и устройство, которое использует множество встроенных SRAM, добавить дополнительный шаг процесса (что делает его ещё дороже в пересчете на квадратный миллиметр), чтобы разрешить замену встроенной SRAM на встроенную (embedded) DRAM (eDRAM), давая ~3-кратную экономию площади в районах SRAM (и, следовательно, снижение себестоимости на чипе);
* начать с системы с отдельным чипом CPU и DRAM чипами, добавить небольшое количество «сопроцессорной» вычислительных функций к DRAM, работая в рамках DRAM-процесса и добавляя только в небольших количествах области в DRAM, чтобы делать вещи, которые в противном случае были бы ограничены узким горлышком между CPU и DRAM: обнуление выделенных областей памяти, копирование больших блоков данных из одного места в другое, поиск где есть (если есть) заданныйзаданных байт в некотором блоке данных, и так далее; в результате система — без изменений CPU чипа, и со «смарт-DRAM-чипами» — по крайней мере, так же быстра, как и в исходной системе, и, возможно, немного ниже по стоимости. Стоимость небольшого размера дополнительной области, как ожидается, будет более чем возвращена во счет экономии дорогих (так как долгих) проверок памяти, так как на смарт-DRAM сейчас достаточно вычислительной мощности — для пластин кремния («вафель») полных DRAM для выполнения большинства проверок на памяти внутренне и параллельно, а не традиционным подходом полных проверок одного DRAM чипа за раз с использованием дорогого внешнего автоматического тестирующего оборудования;
* начать с DRAM-оптимизированного процесса, настроить процесс так, чтобы сделать его немного более похожим на CPU-процесс, и построить (с относительно низкой частотой, но низким энергопотреблением и очень высокой пропускной способностью) процессор общего назначения в пределах этого процесса ({{iw|проект IRAM||en|Berkeley IRAM project}}<ref>{{cite news|url= http://old.computerra.ru/offline/1998/243/989/|title= Доводы в пользу IRAM|date= 20 апреля 1998 года|publisher= Компьютерра, №15|accessdate= 2014-08-27|deadlink= yes|archiveurl= https://web.archive.org/web/20140905001035/http://old.computerra.ru/offline/1998/243/989/|archivedate= 2014-09-05}}</ref>, TOMI Technology).
 
Анонимный участник