EPROM: различия между версиями

Стирание EPROM происходит при длине волны света короче 400 [[нм]]. Экспозиция солнечным светом в течение 1 недели или освещение комнатной флуоресцентной лампой в течение 3 лет может привести к стиранию. Рекомендуемой процедурой стирания является воздействие ультрафиолетовым светом длиной волны 253,7 нм отс 20экспозицией доне 30менее минут15 лампойВт⋅с/см², сочто световымобычно потокомдостигается не менееза 15 вт20-сек/см230 минут с лампой, размещённой на расстоянии около 302,5 сантиметров.

: «Стирание может быть сделано неэлектрическими методами, так как управляющий электрод электрически недоступен. Освещение ультрафиолетовым светом любой части неупакованного устройства вызывает фототок, который течёт из плавающего затвора на кремниевую подложку, тем самым переводя затвор в исходное незаряженное состояние. Этот метод стирания позволяет осуществлять полное тестирование и коррекцию сложных матриц памяти до корпусования. После корпусования информация всё ещё может быть стёрта рентгеновским излучением, превышающим 5*105⋅10⁴ [[Рад (единица измерения)|рад]], дозы, которая легко достигается коммерческими генераторами рентгеновского излучения.<ref>May 10, 1971 issue of Electronics Magazine in an article written by Dov Frohman</ref> Иными словами, чтобы стереть EPROM, вы должны применить источник рентгеновского излучения, а затем поместить чип в духовку при температуре около 600 градусов по Цельсию (для отжига полупроводниковых изменений, вызванных рентгеновскими лучами).»<ref name="jmargolin_com-eprom">{{cite web|title=eprom |url=http://www.jmargolin.com/patents/eprom.htm |archiveurl=https://www.webcitation.org/61BnNSfeX?url=http://www.jmargolin.com/patents/eprom.htm |archivedate=2011-08-25 }} 090508 jmargolin.com</ref>