Полупроводник n-типа: различия между версиями
[непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Метки: с мобильного устройства через мобильное приложение через приложение для Android |
Ququ (обсуждение | вклад) Литература источники |
||
Строка 1:
'''Полупроводники n-типа
Для того чтобы получить полупроводник n-типа, [[собственный полупроводник]] [[Легирование (полупроводники)|легируют]] [[Донор электрона|донорами]]. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах [[
Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины [[Запрещенная зона|запрещенной зоны]] полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости.
Строка 8:
== См. также ==
* [[p-n переход]]
* [[Полупроводник p-типа]]
== Литература ==
[[Служебная:Категории|Категория]]: ▼
* {{книга | автор = [[Горелик, Семён Самуилович|Горелик С. С.]], [[Дашевский, Вениамин Яковлевич|Дашевский В. Я.]]| часть = | заглавие = Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов| оригинал = | ссылка = | издание = | ответственный = | место = М.| издательство = МИСИС| год = 2003| том = | страницы = | страниц = 480| isbn = 5-87623-018-7| ref=Горелик, Дашевский}}
* [[:Категория:Физика полупроводников|Физика полупроводников]]
|