Полупроводниковая пластина: различия между версиями

[отпатрулированная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Строка 13:
{{main|Метод Чохральского}}
-->Кремниевые пластины изготавливаются из сверхчистого (чистота порядка 99,9999999 %)<ref>«Semi» SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section:
''How to Make a Chip.'' Adapted from Design News. Reed Electronics Group.</ref> монокристалла кремния, с низкой концентрацией дефектов и [[Дислокация (кристаллография)|дислокаций]]<ref>SemiSource 2006: A supplement to Semiconductor International. December 2005. Reference Section: ''How to Make a Chip.'' Adapted from Design News. Reed Electronics Group.</ref>. Монокристаллы кремния выращиваются [[Метод Чохральского|методом Чохральского]]<ref>{{книга |заглавие=Microelectronic Materials and Processes |год=1989 |страницы=1—2 |isbn=0-7923-0154-4 |ссылка=https://books.google.com/books?id=wZPRPU6ne7UC&pg=PA248#PPA6,M1 |ref=Levy |язык=und |автор=Levy, Roland Albert}}</ref><ref name=Grover>{{книга |заглавие=Microelectronic Materials |год=1989 |isbn=0-85274-270-3 |издательство=[[CRC Press]] |страницы=113—123 |ссылка=https://books.google.com/books?id=Ecl_mnz1xcUC&pg=PA122&dq=GaAs+Wafer+Manufacture#PPA113,M1 |ref=Grovenor |язык=und |автор=Grovenor, C.}}</ref>. Также монокристаллы выращивают и [[Зонная плавка|методом зонной плавки]].
 
Затем монокристалл разрезается на тонкие пластины стопкой алмазных дисков с внутренней режущей кромкой или проволочной пилой с использованием суспензии алмазной пыли, распил ведут параллельно определенной [[Кристаллография|кристаллографической плоскости]] (для кремния это обычно плоскость {111}). Контроль ориентации распила относительно кристаллографической плоскости контролируют [[Рентгеноструктурный анализ|рентгеноструктурным методом]].