Полупроводник n-типа: различия между версиями

[[Image:N-doped Si.svg|thumb|Схематическое изображение кремния с донорной примесью [[фосфор]]а]]

 

 

Для того, чтобы получить полупроводник n-типа, [[собственный полупроводник]] [[легирование|легуют]] [[донор электрона|донорами]]. Обычно это атомы, которые имеют на валентний оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легуеться. При не слишком низких температурах [[электрон]]ы и со значительной вероятностью переходят с донорних уровней в [[зона проводимости|зону проводимости]], где их состояния [[делокализованное состояние|делокализованы]] и они могут вносить вклад в [[электрический ток]].

Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорних уровней, ширины [[запрещенная зона|запрещенной зоны]] полупроводника, температуры, [[эффективная плотность состояний|эффективной плотности уровней]] в зоне проводимости.

 

 

==См. также==