Биполярный транзистор с изолированным затвором: различия между версиями

[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Спасено источников — 2, отмечено мёртвыми — 0. Сообщить об ошибке. См. FAQ.) #IABot (v2.0.9.2
Строка 47:
|номер = 2
|страницы = 56
}}</ref>. На полупроводниковый прибор, названный «побистором», получено авторское свидетельство СССР № 757051. Он выполнен в виде единой структуры, содержащей мощный биполярный транзистор, на поверхности которого создан полевой транзистор с V-образным изолированным затвором<ref>{{статья |автор=Дьяконов В. П. |заглавие= Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них |ссылка=http://www.power-e.ru/2010_5_24.php |издание=Силовая Электроника |место= |издательство= |год=2010 |номер=5 |страницы=24—32 |isbn= |issn= |ref= |archiveurl=https://web.archive.org/web/20151001050829/http://www.power-e.ru/2010_5_24.php |archivedate=2015-10-01 }}</ref>
 
Первый промышленный образец БТИЗ был запатентован [[International Rectifier]] в 1983 году. Позднее, в 1985 году, был разработан БТИЗ с полностью плоской структурой (без V-канала) и более высокими рабочими напряжениями. Это произошло почти одновременно в лабораториях фирм [[General Electric]] ([[Скенектади]], штат Нью-Йорк) и [[RCA]] ([[Принстон (Нью-Джерси)|Принстон]], штат Нью-Джерси). {{нет АИ 2|Первоначально устройство называли COMFET, GEMFET или IGFET.|28|09|2016}} В 1990-е годы приняли название IGBT. Первые БТИЗ не получили распространения из-за врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е годы) и третье (современное) поколения IGBT в целом избавились от этих пороков.
Строка 89:
<ref name="gaw">''К. Д. Рогачёв'' [http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/igbt/transistor.htm Силовые биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)] {{Wayback|url=http://www.gaw.ru/html.cgi/txt/publ/igbt/transistor.htm |date=20160928012059 }} // «Рынок Микроэлектроники»</ref>
<ref name="eschool">''Л. А. Потапов'' [http://electricalschool.info/spravochnik/poleznoe/778-igbt-tranzistory.html IGBT транзисторы] {{Wayback|url=http://electricalschool.info/spravochnik/poleznoe/778-igbt-tranzistory.html |date=20180111152454 }} // «Школа для Электрика»</ref>
<ref name="ngu">{{книга |автор=О. В. Беликов |ссылка=http://www.inp.nsk.su/~belikov/data/_uploaded/file/Сборник_РЭЛ-11.pdf |заглавие=Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) |издательство=Новосибирский государственный университет |год=2008 }} {{Wayback|url=http://www.inp.nsk.su/~belikov/data/_uploaded/file/%D0%A1%D0%B1%D0%BE%D1%80%D0%BD%D0%B8%D0%BA_%D0%A0%D0%AD%D0%9B-11.pdf |date=20160910114143 }}</ref>
}}