Жидкофазная эпитаксия: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
← Новая страница: «Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полу…» |
Нет описания правки |
||
Строка 1:
[[Эпитаксия]] из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2.
Готовится шихта из вещества наращиваемого слоя, легирующей примеси(может быть подана и в виде газа) и металла-растворителя, имеющего низкую температуру плавления и хорошо растворяющий материал подложки(Ga, Sn, Pb). Процесс проводят в атмосфере азота и водорода(для восстановления оксидных плёнок на поверхности подложек и расплава) или в вакууме(предворительно восстановив оксидные плёнки). Расплав наносится на поверхность подложки, частично растворяя её и удаляя загрязнения и дефекты. После выдержки при максимальной температуре ≈1000С начинается медленное охлаждение. Расплав из перенасыщенного состояния переходит в перенасыщенное и избытки полупроводника осаждаются на подложку, играющую роль затравки.
Существуют три типа контейнеров для проведения эпитаксии из жидкой фазы: вращающийся(качающийся), пенального типа, шиберного типа.
| |||