Диодно-транзисторная логика: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
TXiKiBoT (обсуждение | вклад) м робот добавил: sr:DTL |
Alecv (обсуждение | вклад) |
||
Строка 10:
Основное преимущество ДТЛ над более ранней технологией [[Резисторно-транзисторная логика|РТЛ]] — возможность создания большого числа входов. Задержка прохождения сигнала по-прежнему достаточно высока, из-за медленного процесса утечки заряда с базы в режиме насыщения (когда все входы имеют высокий уровень) при подаче на один из входов низкого уровня. Эту задержку можно уменьшить подключением базы транзистора через резистор к общему проводу или к источнику отрицательного напряжения.
В более современной и эффективной технологии [[Транзисторно-транзисторная логика|ТТЛ]] данная проблема решена путём замены диодов на мультиэмиттерный транзистор. Это также уменьшает площадь кристалла (в случае реализации в виде [[Интегральная схема|интегральной схемы]]), и соответственно позволяет добиться более высокой плотности элементов.
== Применение ==
| |||