Ширина запрещённой зоны: различия между версиями

[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Нет описания правки
Нет описания правки
Строка 3:
Величина ширины [[Запрещённая зона|запрещённой зоны]] имеет важное значение при генерации [[свет]]а в [[светодиод]]ах и [[полупроводниковый лазер|полупроводниковых лазерах]], поскольку именно она определяет энергию испускаемых [[фотон]]ов. Для изготовления светодиодов и лазеров используются прямозонные полупроводники. В прямозонных [[полупроводники|полупроводниках]] экстремумы зон находятся при одном и том же значении [[волновой вектор|волнового вектора]], и генерация света происходит с большей вероятностью. В непрямозонных полупроводниках потолок [[валентная зона|валентной зоны]] и дно [[зона проводимости|зоны проводимости]] разнесены в пространстве [[волновой вектор|волновых векторов]], для выполнения закона сохранения импульса нужно ещё испустить [[фононы|фонон]] с большим квазиимпульсом, и поэтому вероятность излучательной рекомбинации существенно ниже.
 
Ширина запрещенной зоны (минимальная энергия, необходимая для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости) составляет от нескольких сотых до нескольких [[электрон-вольт]] для полупроводников и свыше 6 [[эВ]] для диэлектриков. Полупроводники с шириной запрещенной зоны менее ~0.3 эВ называют '''узкозонными''' полупроводниками, а полупроводники с шириной запрещенной зоны более ~3 эВ -- '''широкозонными''' полупроводниками.
 
== См. также ==