Дифракция отражённых электронов: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Alxmel (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Alxmel (обсуждение | вклад) |
||
Строка 37:
[[Файл:Sample_after_EBSD.jpg|thumb|right|200px|Видна зарядка образца в точках, в которых снималась дифракция.]]
Картирование производится методом автоматического индексирования по узлам некоторой сетки на поверхности образца. Чем мельче будет выбрано зерно сетки, тем более детальная информация будет получена. Но при этом может значительно увеличиться время эксперимента. Необходимо соблюсти баланс детальности во времени исследования в зависимости от задач эксперимента. Очевидным результатом картирования являются крайне наглядные и привлекательные карты, но все же основным результатом подробная информация о зернах, межзеренных границах, текстуре.
Для непроводящих материалов возможны затруднения, связанные с скоплением заряда на поверхности образца, при этом картина ДОЭ будет "плыть", либо вообще не получится получить данных. Избежать этих явлений можно либо с помощью компенсации дрейфа (при незначительной зарядке), а также съемкой в режиме низкого вакуума либо локального низкого вакуума, когда атмосфера создается в локальной области над исследуемой частью образца.
== Трехмерное картирование с использованием сфокусированного ионного пучка ==
| |||