Дифракция отражённых электронов: различия между версиями

Для непроводящих материалов возможны затруднения, связанные с скоплением заряда на поверхности образца, при этом картина ДОЭ будет "«плыть"», либо вообще не получится получить данных. Избежать этих явлений можно либо с помощью компенсации дрейфа (при незначительной зарядке), а также съемкой в режиме низкого вакуума либо локального низкого вакуума, когда атмосфера создается в локальной области над исследуемой частью образца.

Существует несколько методик получения трехмерных карт с использованием [[Сфокусированный ионный пучок|СИП]]. Общим для них является последовательное снятие слоев вещества с помощью сфокусированного ионного пучка и последующего картирования полученной области образца. Современные програмные пакеты позволяют проводить такие исследования в практически автоматическом режиме. Полученные данные позволяютговорить о характере взаимрасположения, форме и  т. д. частей исследуемого вещества(исследование форм, взаиморасположение, ориентацйию зерен, исследование межзеренных границ). Минусом является огромнейший объем (до нескольких Гб. на образец) данных, малый физический объем исследуемого образца (линейные размеры порядка нескольких микрон). Однако такого рода информация не может быть получена другими методами анализа.