Диодно-транзисторная логика: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
→Преимущества и недостатки: дополнение |
→Преимущества и недостатки: иллюстрация |
||
Строка 14:
В более современной и эффективной технологии [[Транзисторно-транзисторная логика|ТТЛ]] данная проблема решена путём замены диодов на мультиэмиттерный транзистор. Это также уменьшает площадь кристалла (в случае реализации в виде [[Интегральная схема|интегральной схемы]]), и соответственно позволяет добиться более высокой плотности элементов.
[[Файл:3И-НЕ 74LS(К555).JPG|right|thumb|200px|Логический элемент 3И-НЕ в серии микросхем 74LS(К555)<ref>[http://zvmpt.narod.ru/spravka/gost.htm Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы.(Справочник)-Челябинск.: МБР,1989- 352с. djvu Рис.1.8.б]</ref>]]
В ещё более современных и эффективных микросхемах ТТЛ (74S, 74LS, 74AS, 74ALS, 74F) произошёл возврат к ДТЛ на диодах и транзисторах Шоттки<ref>[http://zvmpt.narod.ru/spravka/gost.htm Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы.(Справочник)-Челябинск.: МБР,1989- 352с. djvu Рис.1.8.б]</ref>. Эти серии многоэмиттерного транзистора не содержат, фактически являются ДТЛ и носят название ТТЛШ (ТТЛ Шоттки) лишь "по традиции", будучи развитием именно ДТЛ.
| |||