Подложка: различия между версиями

[отпатрулированная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м робот добавил: ro:Plăcuță semiconductoare
Нет описания правки
Строка 6:
'''[[Фотоплёнка#Подложка|Подложка]]''' в фотоматериалах — основа фотоматериала, служащая носителем эмульсионных слоёв.<ref>{{Книга:ФКТЭ|статья=Подложка}}</ref>
 
В [[Микроэлектроника|микроэлектронике]] подложка — это обычно [[полупроводниковая пластинамонокристалл|монокристаллическая]] ([[монокристаллполупроводниковая пластина]]), предназначенная для создания на ней [[Плёнка|плёнок]], [[Гетероструктура|гетероструктур]] и выращивания [[Микрокристаллмонокристалл|микрокристалловмонокристаллических]] слоев с помощью [[Эпитаксия|эпитаксии]] ([[Гетероэпитаксия|гетероэпитаксии]], [[Гомоэпитаксия|гомоэпитаксии]], [[Эндотаксия|эндотаксии]]), [[Кристаллизация|кристаллизации]] и т. д.
 
При выращивании [[Кристалл|кристаллов]] большое значение имеют условия сопряжения [[Кристаллическая решётка|кристаллических решёток]] нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте и отсутствию [[Дефекты кристалла|дефектов]] в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение [[Буферный слой|буферного слоя]] для предотвращения возникновения множественных [[Дислокация (кристаллография)|дислокаций]].