Подложка: различия между версиями

В [[Микроэлектроника|микроэлектронике]] подложка — это обычно [[монокристалл|монокристаллическая]] [[полупроводниковая пластина]], предназначенная для создания на ней [[Плёнка|плёнок]], [[Гетероструктура|гетероструктур]] и выращивания [[монокристалл|монокристаллических]] слоев с помощью [[Эпитаксия|эпитаксии]] ([[Гетероэпитаксия|гетероэпитаксии]], [[Гомоэпитаксия|гомоэпитаксии]], [[Эндотаксия|эндотаксии]]), [[Кристаллизация|кристаллизации]] и т. д.

При выращивании [[Кристалл|кристаллов]] большое значение имеют условия сопряжения [[Кристаллическая решётка|кристаллических решёток]] нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию [[Дефекты кристалла|дефектов]] в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение [[Буферный слой|буферного слоя]] для предотвращения возникновения множественных [[Дислокация (кристаллография)|дислокаций]].