Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН: различия между версиями

[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Строка 25:
== Структура ==
В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, два филиала): <ref>[http://www.isp.nsc.ru/index.php?ACTION=part&id_part=2&lang=rus Структурная схема Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН]</ref><ref>[http://www.isp.nsc.ru/index.php?ACTION=part&id_part=2&sub_part=22 Научные подразделения Института]</ref>
* Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов, руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков
** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5, зав.лаб., к.ф.-м.н. А.И.Никифоров
** Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур, зав.лаб., к.т.н. С.В.Рыхлицкий
 
* Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А.Л.Асеев
** Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии, зав.лаб., член-корр.РАН, д.ф.-м.н. А.В.Латышев
руководитель отдела академик А.Л.Асеев
** Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
зав.лаб., член-корр.РАН, д.ф.-м.н. А.В.Латышев
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон
 
* Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр.РАН, профессор, И.Г.Неизвестный
** Лаборатория физики и технологии гетероструктур
руководитель отдела член-корр.РАН, профессор, И.Г.Неизвестный
** Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
Лаборатория физики и технологии гетероструктур
зав.лаб., д.ф.-м.н. А.Э.Климов
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
рук. группы, к.ф.-м.н. Н.Л.Шварц.
 
* Отдел физики и техники полупроводниковых структур
** Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В.Н.Овсюк
** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д.В.Есаев
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
зав.лаб., к.ф.-м.н. А.И.Торопов
* Отдел инфракрасной оптоэлектроники на основе КРТ
** Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6,
руководитель отдела д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров
** Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6,
зав.лаб., д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
зав.лаб., к.ф.-м.н. В.В.Васильев.
* Научные лаборатории
** Лаборатория теоретической физики, зав.лаб., член-корр.РАН, профессор А.В.Чаплик
** Лаборатория разработки принципов построения и архитектуры вычислительных систем для обработки информационных массивов, зав.лаб., член-корр.РАН, профессор, В.Г.Хорошевский
зав.лаб., член-корр.РАН, профессор А.В.Чаплик
** Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
Лаборатория разработки принципов построения и архитектуры вычислительных систем для обработки информационных массивов
** Лаборатория оптических материалов и структур
зав.лаб., член-корр.РАН, профессор, В.Г.Хорошевский
** Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
** Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
и.о.зав.лаб., к.х.н. О.И.Семенова
** Лаборатория оптическихфизических основ материаловматериаловедения икремния структур
** Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
зав.лаб., к.ф.-.м.н. В.В.Атучин
** Лаборатория физики и технологии трехмерныхкремниевой наноструктурмикроэлектроники
** Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
зав.лаб., д.ф.-м.н. В.Я.Принц
** Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, А.С.Терехов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
зав.лаб., д.ф-м.н. В.П.Попов
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
зав. лаб., д.ф.-м.н. Г.Л.Курышев
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Л.К.Попов
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
зав.лаб., к.ф.-м.н. М.Д.Ефремов
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
зав.лаб., член-корр.РАН, д.ф.-м.н., профессор, А.В.Двуреченский
** Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
** Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
зав.лаб., д.ф.-м.н. Н.Н.Рубцова
** Лаборатория мощных газовых лазеров
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
** Научно-технологический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
зав.лаб., к.ф.-м.н. И.И.Рябцев
 
Лаборатория мощных газовых лазеров
* Омский филиал ИФП
зав.лаб., к.ф.-м.н. Д.Э.Закревский
** Лаборатория физики полупроводниковых структур
Научно-технологический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
** Лаборатория физики полупроводниковых соединений
руководителя отдела, к.ф.-м.н. В.В.Калинин
** Лаборатория экологического мониторинга
 
== Дирекция ==