Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН: различия между версиями

[отпатрулированная версия][отпатрулированная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Строка 28:
** Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
** Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур,
 
* Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А.Л.Асеев
** Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии, зав.лаб., член-корр.РАН, д.ф.-м.н. А.В.Латышев
** Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
 
* Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр.РАН, профессор, И.Г.Неизвестный
** Лаборатория физики и технологии гетероструктур
** Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
 
* Отдел физики и техники полупроводниковых структур
** Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Строка 60 ⟶ 57 :
** Лаборатория мощных газовых лазеров
** Научно-технологический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
 
* Омский филиал ИФП
** Лаборатория физики полупроводниковых структур
** Лаборатория физики полупроводниковых соединений
** Лаборатория экологического мониторинга
*Новосибирский филиал ИФП СО РАН "КТИ ПМ"
** Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий
** Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
** Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
** Тематический отдел электронных систем
** Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов
** Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
** Тематический отдел специального технологического оборудования
 
== Дирекция ==