Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН: различия между версиями

Институт был основан в [[1964 год]]у на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года). В [[2003 год]]у к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224). В [[2005 год]]у к ИФП СО РАН присоединен был присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274). В [[2006 год]]у Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400).<ref name="solid2">[http://www.nsc.ru/sbras/db/showinf.phtml?rus+3+16+history/ История Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН]</ref>