Электронный захват: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
NAME XXX (обсуждение | вклад) |
NAME XXX (обсуждение | вклад) |
||
Строка 16:
== Процессы в электронной оболочке ==
Электрон захватывается ядром с, как правило, ближайших к нему [[электронная оболочка|электронных оболочек]] (в порядке K, L, M, N, …), причём при прочих равных условиях максимальна вероятность захвата ''s''-электрона. Это обусловлено тем, что плотность волновой функции орбитального электрона в ядре наибольшая для низколежащих электронных оболочек, причём для ''s''-электронов (с нулевым орбитальным моментом ''l''=0) плотность имеет максимум при ''r''=0{{
Атом при электронном захвате переходит в [[возбуждённое состояние]] с внутренней оболочкой без электрона (или, как говорят, с «дыркой», вакансией на внутренней оболочке). Снятие возбуждения атомной оболочки происходит путём перехода на нижний уровень электрона с одной из верхних оболочек, причем образовавшуюся на более высокой оболочке вакансию может заполнить электрон с ещё более высокой оболочки и т. д. Энергия, выделяющаяся при этом, уносится одним или несколькими [[фотон]]ами [[рентгеновское излучение|рентгеновского излучения]] и/или одним или несколькими [[Оже-электроны|Оже-электронами]]. Если электронный захват происходит в атоме, находящемся в вакууме или разреженном газе, распавшийся атом образует, как правило, многозарядный положительный ион вследствие потери оже-электронов; вероятность сохранения атомом нейтральности порядка процента и менее.
| |||