Дифракция отражённых электронов: различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Alxmel (обсуждение | вклад) |
Alxmel (обсуждение | вклад) шаблон |
||
Строка 1:
[[Файл:Ebsd.jpg|thumb|right|200px|Картина, полученная методом дифракции отражённых электронов (National Institute of Standards and Technology Materials Reliability Division)]]
[[Файл:EBSD_Si.png|thumb|right|200px|Изображение одного кристалла кремния, полученное методом дифракции отражённых электронов]]
{{перевести|en|Electron backscatter diffraction}}
'''Дифракция отражённых электронов (ДОЭ)''' — микроструктурная [[Кристаллография|кристаллографическая]] методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций [[Монокристалл|моно-]] или [[Поликристалл|поликристаллического]] материала. ДОЭ может использоваться для индексирования и определения семи [[Кристаллическая_система|кристаллических систем]], также применяется для картирования кристаллических ориентаций, исследования дефектов, определения и разделения[[Термодинамическая_фаза|фаз]], изучение межзёренных границ и морфологии, картирования микродеформаций и т. д. Традиционно такой тип исследований проводился с помощью [[Рентгеноструктурный_анализ|рентгеноструктурного анализа]], [[Нейтронная дифракция|нейтронной дифракции]] и [[Дифракция электронов| дифракции электронов]] в [[Просвечивающий электронный микроскоп|ПЭМ]].
| |||