Нитрид галлия: различия между версиями
| [непроверенная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Строка 75:
== Физические свойства ==
Является важным прямозонным [[полупроводник]]ом с [[ширина запрещённой зоны|шириной запрещённой зоны]] 3.39 эВ при 300 K. Нитрид галлия очень тяжелый, механически стабильный материал с большой [[теплоемкость]]ю<ref name="doi10.1143/JJAP.36.5393">{{статья|автор=Isamu Akasaki and Hiroshi Amano|заглавие=Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters|тип=Jpn. J. Appl. Phys.|год=1997|страницы=5393–5408|doi=10.1143/JJAP.36.5393}}</ref>. В чистом виде он способен противостоять растрескиванию и может храниться как [[Тонкие плёнки|тонкая пленка]] на [[сапфир]]е или [[Карбид кремния|карбиде кремния]], несмотря на несоответствие в их [[Постоянная решётки|постоянных решетки]]<ref name=doi10.1143/JJAP.36.5393 />. Нитрид галлия может быть легирован с [[Кремний|кремнием]], либо с [[кислород]]ом<ref name=ostidDE97001220 >[http://www.osti.gov/bridge/product.biblio.jsp?osti_id=434361 Information Bridge: DOE Scientific and Technical Information — Document #434361]</ref> формируя [[Полупроводник n-типа|N-тип]] и с магнием формируя [[Полупроводник p-типа|P-тип]]<ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112">{{статья|автор=Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu и Isamu Akasaki|заглавие=P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)|тип=Jpn. J. Appl. Phys.|год=1989|страницы=L2112-L2114|doi=10.1143/JJAP.28.L2112}}</ref>; однако, атомы кремния и магния изменяют дорогу роста кристаллов GaN, представляя собой [[статическое растяжение]], что и делает их ломкими<ref name="doi10.1143/JJAP.40.L195">{{статья|автор=Shinji Terao, Motoaki Iwaya, Ryo Nakamura, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano и Isamu Akasaki|заглавие=Fracture of AlxGa1-xN/GaN Heterostructure —Compositional and Impurity Dependence|год=2001|страницы=L195-L197|doi=10.1143/JJAP.40.L195}}</ref>. Соединения нитрида галлия, как правило, обладают высокой пространственной частотой дефекта (порядка 100 млн до 10 млрд дефектов на см²)<ref>[http://www.lbl.gov/Science-Articles/Archive/blue-light-diodes.html lbl.gov, blue-light-diodes]</ref>.▼
▲Нитрид галлия очень тяжелый, механически стабильный материал с большой [[теплоемкость]]ю<ref name="doi10.1143/JJAP.36.5393">{{статья|автор=Isamu Akasaki and Hiroshi Amano|заглавие=Crystal Growth and Conductivity Control of Group III Nitride Semiconductors and Their Application to Short Wavelength Light Emitters|тип=Jpn. J. Appl. Phys.|год=1997|страницы=5393–5408|doi=10.1143/JJAP.36.5393}}</ref>. В чистом виде он способен противостоять растрескиванию и может храниться как [[Тонкие плёнки|тонкая пленка]] на [[сапфир]]е или [[Карбид кремния|карбиде кремния]], несмотря на несоответствие в их [[Постоянная решётки|постоянных решетки]]<ref name=doi10.1143/JJAP.36.5393 />. Нитрид галлия может быть легирован с [[Кремний|кремнием]], либо с [[кислород]]ом<ref name=ostidDE97001220 >[http://www.osti.gov/bridge/product.biblio.jsp?osti_id=434361 Information Bridge: DOE Scientific and Technical Information — Document #434361]</ref> формируя [[Полупроводник n-типа|N-тип]] и с магнием формируя [[Полупроводник p-типа|P-тип]]<ref name="doi10.1143/JJAP.28.L2112">{{статья|автор=Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu и Isamu Akasaki|заглавие=P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)|тип=Jpn. J. Appl. Phys.|год=1989|страницы=L2112-L2114|doi=10.1143/JJAP.28.L2112}}</ref>; однако, атомы кремния и магния изменяют дорогу роста кристаллов GaN, представляя собой [[статическое растяжение]], что и делает их ломкими<ref name="doi10.1143/JJAP.40.L195">{{статья|автор=Shinji Terao, Motoaki Iwaya, Ryo Nakamura, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano и Isamu Akasaki|заглавие=Fracture of AlxGa1-xN/GaN Heterostructure —Compositional and Impurity Dependence|год=2001|страницы=L195-L197|doi=10.1143/JJAP.40.L195}}</ref>. Соединения нитрида галлия, как правило, обладают высокой пространственной частотой дефекта (порядка 100 млн до 10 млрд дефектов на см²)<ref>[http://www.lbl.gov/Science-Articles/Archive/blue-light-diodes.html lbl.gov, blue-light-diodes]</ref>.
Детали, созданные на основе нитрида галлия, являются очень чувствительными к [[Электростатический разряд|электростатическим разрядам]]<ref name="doi10.1143/JJAP.45.7565">{{статья|автор=Hajime Okumura|заглавие=Present Status and Future Prospect of Widegap Semiconductor High-Power Devices|тип=Jpn. J. Appl. Phys.|год=2006|страницы=7565–7586|doi=10.1143/JJAP.45.7565}}</ref>.
| |||