Диодно-транзисторная логика: различия между версиями

[непроверенная версия][непроверенная версия]
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м робот добавил: ar:منطق ثنائي-ترانزستور
викификация
Строка 1:
[[Файл:DTL-2NAND-simplest.svg|thumb|Упрощённая схема двухвходового ДТЛ-элемента 2И-НЕ.]]
'''Диодно-транзисторная логика''' ('''ДТЛ'''), {{lang-en|Diode–transistor logic (DTL)}} — технология построения [[Цифровая схематехника|цифровых схем]] на основе [[Биполярный транзистор|биполярных транзисторов]], [[диод]]ов и [[резистор]]ов. Своё название технология получила благодаря реализации логических функций (например, 2И) с помощью диодных цепей, а усиления и инверсии сигнала — с помощью транзистора (для сравнения см. [[резисторно-транзисторная логика]] и [[транзисторно-транзисторная логика]]).
 
== Принцип работы ==
 
Показанная на рисунке схема представляет собой типичный элемент 2И-НЕ:<br />
Если хотя бы на одном из входов уровень логического нуля, то ток течет через R1 и диод во входную цепь. На анодах диодов напряжение 0,7В, которого недостаточно для открывания транзистора. Транзистор закрыт. На выходе формируется уровень логической единицы.
<br />
Если на все входы поступает уровень логической единицы, ток течет через R1 на базу транзистора, образуя на анодах диодов напряжение 1,4 В. Поскольку напряжение уровня логической единицы больше этой величины, входы диодов обратносмещены и не участвуют в работе схемы. Транзистор открыт в режиме насыщения. В транзистор втекает ток нагрузки, по величине значительно больший тока нагрузки в состоянии логической единицы.
 
== Преимущества и недостатки ==
Основное преимущество ДТЛ надперед более ранней технологией [[Резисторно-транзисторная логика|РТЛ]] — возможность создания большого числа входов. Задержка прохождения сигнала по-прежнему достаточно высока, из-за медленного процесса утечки заряда с базы в режиме насыщения (когда все входы имеют высокий уровень) при подаче на один из входов низкого уровня. Эту задержку можно уменьшить подключением базы транзистора через резистор к общему проводу или к источнику отрицательного напряжения.
 
Основное преимущество ДТЛ над более ранней технологией [[Резисторно-транзисторная логика|РТЛ]] — возможность создания большого числа входов. Задержка прохождения сигнала по-прежнему достаточно высока, из-за медленного процесса утечки заряда с базы в режиме насыщения (когда все входы имеют высокий уровень) при подаче на один из входов низкого уровня. Эту задержку можно уменьшить подключением базы транзистора через резистор к общему проводу или к источнику отрицательного напряжения.
 
В более современной и эффективной технологии [[Транзисторно-транзисторная логика|ТТЛ]] данная проблема решена путём замены диодов на мультиэмиттерный транзистор. Это также уменьшает площадь кристалла (в случае реализации в виде [[Интегральная схема|интегральной схемы]]), и соответственно позволяет добиться более высокой плотности элементов.