Дифракция отражённых электронов: различия между версиями
[отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Alxmel (обсуждение | вклад) мНет описания правки |
Alxmel (обсуждение | вклад) орфография, викификация |
||
Строка 19:
* Картирование кристаллических ориентаций
* Получение высококачественных изображений методом картирования
* Изображение зерен и
* Анализ текстуры
* Разделение фаз
Строка 41:
[[Файл:EBSD_in_process.png|thumb|right|200px|Карта в процессе ее получения, наложенная на электронномикроскопическое изображение.]]
[[Файл:Sample_after_EBSD.jpg|thumb|right|200px|Контаминация на образце в точках, в которых снималась дифракция.]]
Картирование производится методом автоматического индексирования по узлам некоторой сетки на поверхности образца. Чем мельче будет выбрано зерно сетки, тем более детальная информация будет получена. Но при этом может значительно увеличиться время эксперимента. Необходимо соблюсти баланс детальности во времени исследования в зависимости от задач эксперимента. Очевидным результатом картирования являются крайне наглядные и привлекательные карты, но все же основным результатом подробная информация о зернах,
Для непроводящих материалов возможны затруднения, связанные с скоплением заряда на поверхности образца, при этом картина ДОЭ будет «плыть», либо вообще не получится получить данных. Избежать этих явлений можно либо с помощью компенсации дрейфа (при незначительной зарядке), а также съемкой в режиме низкого вакуума либо локального низкого вакуума, когда атмосфера создается в локальной области над исследуемой частью образца.
== Трехмерное картирование с использованием сфокусированного ионного пучка ==
Существует несколько методик получения трехмерных карт с использованием [[Сфокусированный ионный пучок|СИП]]. Общим для них является последовательное снятие слоев вещества с помощью сфокусированного ионного пучка и последующего картирования полученной области образца. Современные программные пакеты позволяют проводить такие исследования в практически автоматическом режиме. Полученные данные
В реализации Oxford Instruments присутствует возможность коррекции дрейфа.
== Изучение текстуры и
Из информации, полученной картированием можно выделить области с определенными преимущественными кристаллическими направлениями — [[Текстура (металлографическая)|текстурой]]. Возможно построение полюсных и
== Пробоподготовка ==
|