EPROM: различия между версиями

1 байт убрано ,  9 лет назад
м
 
== Принцип действия ==
Каждый бит памяти EPROM состоит из одного [[Полевой транзистор|полевого транзистора]]. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства. Контакты истока и стока подходят к зонам в конце канала. Изолирующий слой оксида выращивается поверх канала, затем наносится проводящий управляющий электрод (кремний или алюминий), и затем ещё толстый слой оксида осаждается на управляющем электроде. [[Транзистор с плавающим затвором|Плавающий затвор]] не имеет связи с другими частями интегральной схемы и полностью изолирован от окружающих слоёв оксида. На затвор наносится управляющий электрод, который затем покрывается оксидом.<ref> Chih-Tang Sah ,'' Fundamentals of solid-state electronics '' World Scientific, 1991 ISBN 9810206372, page 639 </ref><ref>[http://smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC09.PDF Технология EEPROMEPROM]</ref>
 
Для извлечения данных из EPROM адрес, представляющий значение нужного контакта EPROM, декодируется и используется для подключения одного слова памяти (как правило, 8-битного байта) к усилителю выходного буфера. Каждый бит этого слова имеет значение 1 или 0, в зависимости от того, был включён или выключен транзистор, был он в проводящем состоянии или непроводящем.