EPROM: различия между версиями

124 байта убрано ,  9 лет назад
→‎История: оформление
(→‎Галерея: дополнение, иллюстрация, оформление)
(→‎История: оформление)
 
== История ==
[[Файл:Floating gate transistor.png|thumb|Разрез транзистора с плавающим затвором.]]
Разработка ячеек памяти EPROM началась с расследования дефектности интегральных схем, в которых затворы транзисторов оказались разрушенными. Хранимые заряды в этих изолированных затворах изменили их свойства. EPROM был изобретён Довом Фроманом ({{нп3|Dov Frohman|Dov Frohman-Bentchkowsky}}) из [[Intel]] в 1971 году, за что он получил в 1972 году патент США №3660819<ref>[http://www.google.com/patents?id=vcwtAAAAEBAJ&printsec=abstract#v=onepage&q&f=false FLOATING GATE TRANSISTOR AND METHOD ... - Google Patents<!-- Заголовок добавлен ботом -->]</ref>.