Подложка: различия между версиями
| [отпатрулированная версия] | [отпатрулированная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
м r2.7.1) (робот добавил: jv:Wafer |
Нет описания правки |
||
Строка 6:
Подложка в [[Фотоматериал|фотоматериалах]] — основа [[Фотоплёнка#Подложка|фотоплёнки]]/фотопластины, служащая носителем [[Эмульсия (фотография)|эмульсионных]] слоёв.<ref>{{Книга:ФКТЭ|статья=Подложка}}</ref>
Подложка в [[Микроэлектроника|микроэлектронике]] — это обычно [[монокристалл|монокристаллическая]] [[полупроводниковая пластина]], предназначенная для создания на ней [[Плёнка|плёнок]], [[Гетероструктура|гетероструктур]] и выращивания [[монокристалл|монокристаллических]] слоев с помощью процесса [[Эпитаксия|эпитаксии]] ([[Гетероэпитаксия|гетероэпитаксии]], [[Гомоэпитаксия|гомоэпитаксии]], [[Эндотаксия|эндотаксии]]), [[Кристаллизация|кристаллизации]] и т. д.<ref>[[Бахрушин, Владимир Евгеньевич|Бахрушин В.Е.]] Получение и физические свойства слаболегированных слоев многослойных композиций. - Запорожье: КПУ, 2001. - 247 с.</ref>
При выращивании [[Кристалл|кристаллов]] большое значение имеют условия сопряжения [[Кристаллическая решётка|кристаллических решёток]] нарастающего кристалла и подложки, причём существенно их структурно-геометрическое соответствие. Так же особое внимание стоит уделять чистоте поверхности и отсутствию [[Дефекты кристалла|дефектов]] в подложке. В случае сильного рассогласования постоянных решётки выращиваемого кристалла и подложки возможно применение [[Буферный слой|буферного слоя]] для предотвращения возникновения множественных [[Дислокация (кристаллография)|дислокаций]].
| |||