Жидкофазная эпитаксия: различия между версиями

Следует отметить, что в современной полупроводниковой промышленности данный метод уже давно не используется, ввиду сложности контроля параметров получаемых пленок (толщина, однородность толщины, значение стехиометрического коэффициента), их относительно низкого качества, малой производительности метода. Вместо него используется газофазная эпитаксия, первое промышленное применение нашедшая для роста простых пленок полупроводников IV группы таблицы Менделеева (Ge, Si), а позже, с развитием технологии, вытеснившая жидкофазную эпитаксию из роста пленок полупроводников типа A_IIIB_V и A_IIB_VI. Также заменой является молекулярнолучевая эпитаксия, позволяющая осаждение практически любых материалов. Однако, для некоторых экзотических полупроводниковых соединений на данный момент является единственно возможной, и остается вопросом лабораторных исследований.