Диод Ганна: различия между версиями

[[Файл:Diod gunn.jpg|thumb|325px|Вольт-амперная характеристика диода Ганна]]

 

 

Традиционно диод Ганна состоит из слоя [[арсенид галлия|арсенида галлия]] толщиной от единиц до сотен [[микрометр]]ов с омическими контактами с обеих сторон. В этом материале в зоне проводимости имеются два минимума энергии, которым соответствуют два состояния [[электрон]]ов — «тяжёлые» и «лёгкие». В связи с этим с ростом напряжённости электрического поля средняя дрейфовая скорость электронов увеличивается до достижения полем некоторого критического значения, а затем уменьшается, стремясь к скорости насыщения.