Дифракция отражённых электронов: различия между версиями
[отпатрулированная версия] | [непроверенная версия] |
Содержимое удалено Содержимое добавлено
Alxmel (обсуждение | вклад) |
BorisVM (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 4:
[[Файл:EBSD Si.png|thumb|right|200px|Изображение одного кристалла кремния, полученное методом дифракции отражённых электронов]]
'''Дифракция отражённых электронов (ДОЭ)''' — микроструктурная [[Кристаллография|кристаллографическая]] методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций [[Монокристалл|моно-]] или [[поликристалл]]ического материала. ДОЭ может использоваться для индексирования и определения семи [[Кристаллическая система|кристаллических систем]], также применяется для картирования кристаллических ориентаций, исследования дефектов, определения и разделения [[Термодинамическая фаза|фаз]], изучение [[Межзёренная граница|межзёренных границ]] и морфологии, картирования микродеформаций и т. д. Традиционно такой тип исследований проводился с помощью [[Рентгеноструктурный анализ|рентгеноструктурного анализа]],
{{не переведено 3|Нейтронная дифракция|нейтронной дифракции Основана на [[Дифракция Брэгга|дифракции]] отражённых [[электрон]]ов. Проводится в [[РЭМ|растровом электронном микроскопе]] с ДОЭ-приставкой. Последняя состоит из люминесцентного экрана, вводящегося в камеру с образцом РЭМ, [[ПЗС-матрица|CCD-камеры]]… Вертикальный пучок электронов падает на наклонённый образец (70° — наиболее оптимальный угол наклона к горизонтали). Уменьшение угла наклона понижает интенсивность получаемой дифракционной картины.
|