Трит: различия между версиями

512 байт добавлено ,  7 лет назад
(→‎Ссылки: дополнение)
 
Аналогом трита в [[квантовый компьютер|квантовых компьютерах]] является [[кутрит]] (q-трит).
=== Количество возможных состояний запоминающего устройства ===
Количество '''Количествовозможных состояний''' [[Запоминающее устройство|запоминающего устройства]], состоящего из n элементарных ячеек, определяется в [[Комбинаторика|комбинаторике]], при '''позиционном кодировании''' равно количеству [[Размещение#Размещение с повторениями|размещений с повторениями]] и выражается [[Показательная функция|показательной функцией]]:
: <math>N_p=\bar{A}(c,n)= \bar{A}_c^n =c^n</math> [возможных '''состояний'''], где
<math>N_p</math> — количество '''возможных состояний''' (кодов, значений) при позиционном кодировании,<br>
<math>c</math> — '''количество состояний''' одного элемента запоминающего устройства, в [[SRAM (память)|SRAM]] - количество состояний [[триггер]]а, в [[DRAM]] — количество распознаваемых уровней напряжения на конденсаторе, в устройствах с магнитной записью — количество распознаваемых уровней намагничивания на одном элементарном участке записи (один элементарный участок записи в устройствах записи на магнитную ленту, на магнитные барабаны, на магнитные диски — одна распознаваемая элементарная часть дорожки, в [[Память на магнитных сердечниках|устройствах записи на ферритовые кольца]] — одно ферритовое кольцо),<br>
<math>\bar{A}(c,n)= \bar{A}_c^n</math> — количество [[Размещение#Размещение с повторениями|размещений с повторениями]],<br>
<math>n</math> — количество '''тро'''ичных '''р'''азрядов ('''трор'''ов), элементов запоминающего устройства, в [[SRAM (память)|SRAM]] — количество [[триггер]]ов, в [[DRAM]] — количество конденсаторов, в устройствах с магнитной записью — количество элементарных участков записи (в устройствах записи на магнитную ленту, на магнитные барабаны, на магнитные диски — количество распознаваемых элементарных участков дорожки, в [[Память на магнитных сердечниках|устройствах записи на ферритовые кольца]] — количество ферритовых колец).<br>
<math>c</math> — количество '''количествовозможных состояний''' одного элемента запоминающего устройства, в [[SRAM (память)|SRAM]] - количество состояний [[триггер]]а, в [[DRAM]] — количество распознаваемых уровней напряжения на конденсаторе, в устройствах с магнитной записью — количество распознаваемых уровней намагничивания на одном элементарном участке записи (один элементарный участок записи в устройствах записи на магнитную ленту, на магнитные барабаны, на магнитные диски — одна распознаваемая элементарная часть дорожки, в [[Память на магнитных сердечниках|устройствах записи на ферритовые кольца]] — одно ферритовое кольцо),<br>
<math>n</math> — количество '''тро'''ичных '''р'''азрядов ('''трор'''ов), '''трит'''ов) (элементов запоминающего устройства), в [[SRAM (память)|SRAM]] — количество [[триггер]]ов, в [[DRAM]] — количество конденсаторов, в устройствах с магнитной записью — количество элементарных участков записи (в устройствах записи на магнитную ленту, на магнитные барабаны, на магнитные диски — количество распознаваемых элементарных участков дорожки, в [[Память на магнитных сердечниках|устройствах записи на ферритовые кольца]] — количество ферритовых колец).<br>
 
===Количество разрядов запоминающего устройства===